设备操作
M27C64A
2.7
禁止程序
多M27C64A在不同的数据并行编程也很方便
完成的。除E，都喜欢投入，包括并行M27C64A G的可能
常见的。一个TTL低电平脉冲加到M27C64A P的输入，有E低V
PP
为12.5V ，
会编程的M27C64A 。高水平的输入E抑制其他M27C64A被
编程。
2.8
程序校验
校验（读取）应该在编程位以确定他们是
正确编程。该验证是在V实现与E和G
IL
，P在V
IH
, V
PP
at
12.5V和V
CC
在6V 。
2.9
电子签名
电子签名（ ES ）模式允许读出的二进制代码从
EPROM ，可以找出它的制造商和型号。此模式适用于使用由
编程设备，设备会自动匹配与编程的
相应的规划算法。在ES模式功能，在25℃ ± 5℃
当编程M27C64A所需的环境温度范围内。要激活
在ES模式，编程设备必须强制11.5V到12.5V上的地址线A9
在M27C64A ，与V
PP
= V
CC
= 5V 。两个标识符字节然后可从测序
从V切换地址线A0器件输出
IL
到V
IH
。所有其他地址线必须是
在V举行
IL
在电子签名方式。
字节0 （ A0 = V
IL
）代表制造商代码和字节1 （ A0 = V
IH
）设备identi连接器
代码。对于意法半导体M27C64A ，这两个标识符字节中给出
并且可以在输出Q7读出Q0 。
2.10
擦除操作（适用于UV的EPROM ）
该M27C64A的擦除特性是这样的，擦除开始时，细胞是
暴露于光的波长大于约4000埃的短。应当指出的
太阳光与某种类型的荧光灯具有在3000-4000埃的波长
范围内。研究表明，长期暴露于室内的水平荧光灯能
擦除一个典型M27C64A在约3年，而这将需要约1周
导致擦除时，直接暴露在阳光下。如果M27C64A是暴露于这些
类型的照明条件为延长的时期，故建议不透明标签
可以把在M27C64A窗口，以防止意外删除。推荐
为M27C64A擦除过程是暴露于短波紫外光具有
波长为2537埃。擦除的积分剂量（即紫外线强度X曝光时间）
最小应为15的W-秒/厘米
2
。擦除时间这一剂量大约是
使用紫外灯与12000微瓦/平方厘米15至20分钟
2
额定功率。该M27C64A
在擦除过程中应放置于所述灯管为2.5厘米（ 1英寸）。有些灯
对它们的管，它应该擦除之前被移除的过滤器。
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