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MMBT2907A 参数 Datasheet PDF下载

MMBT2907A图片预览
型号: MMBT2907A
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内容描述: 小信号PNP晶体管 [SMALL SIGNAL PNP TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管光电二极管
文件页数/大小: 4 页 / 61 K
品牌: STMICROELECTRONICS [ STMICROELECTRONICS ]
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MMBT2907A
热数据
R
THJ - AMB
热阻结到环境
2
最大
357.1
o
C / W
设备安装在1cm的PCB面积
电气特性
(T
= 25
o
C除非另有说明)
符号
I
CEX
I
BEX
I
CBO
参数
集电极截止
电流(V
BE
= -3 V)
底座截止电流
(V
BE
= -3 V)
集电极截止
电流(I
E
= 0)
测试条件
V
CE
= -30 V
V
CE
= -30 V
V
CB
= -50 V
I
C
= -10毫安
-60
分钟。
典型值。
马克斯。
-50
-50
-10
单位
nA
nA
nA
V
V
( BR ) CEO
集电极 - 发射极
击穿电压
(I
B
= 0)
V
( BR ) CBO
集电极 - 基
击穿电压
(I
E
= 0)
发射极 - 基
击穿电压
(I
C
= 0)
集电极 - 发射极
饱和电压
集电极 - 基
饱和电压
直流电流增益
I
C
= -10
µA
-60
V
V
( BR ) EBO
I
E
= -10
µA
-5
V
V
CE ( SAT )
V
BE ( SAT )
h
FE
I
C
= -150毫安
I
C
= -500毫安
I
C
= -150毫安
I
C
= -500毫安
I
C
I
C
I
C
I
C
I
C
=
=
=
=
=
-0.1毫安
-1毫安
-10毫安
-150毫安
-500毫安
I
B
= -15毫安
I
B
= -50毫安
I
B
= -15毫安
I
B
= -50毫安
V
CE
= -10 V
V
CE
= -10 V
V
CE
= -10 V
V
CE
= -10 V
V
CE
= -10 V
F = 1 MHz的
F = 1 MHz的
75
100
100
100
50
200
-0.4
-1.6
-1.3
-2.6
V
V
V
V
300
兆赫
8
30
10
40
45
pF
pF
ns
ns
ns
ns
30
220
ns
ns
f
T
C
CBO
C
EBO
t
d
t
r
t
on
t
s
t
f
t
关闭
跃迁频率
集电极 - 基
电容
发射极 - 基
电容
延迟时间
上升时间
接通时间
贮存时间
下降时间
关闭时间
I
C
= -50毫安V
CE
= -20V F = 100MHz的
I
E
= 0
I
C
= 0
V
CB
= -10 V
V
EB
= -2 V
I
C
= -150毫安
V
CC
= -30V
I
B
= -15毫安
I
C
= -150毫安
V
CC
= -30V
I
B1
= -I
B2
= -15mA
190
脉冲:脉冲宽度= 300
µs,
占空比
2 %
2/4