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STP60NF06 参数 Datasheet PDF下载

STP60NF06图片预览
型号: STP60NF06
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内容描述: N沟道60V - 0.014ohm - 60A TO- 220 / TO- 220FP STripFET⑩功率MOSFET [N-CHANNEL 60V - 0.014ohm - 60A TO-220/TO-220FP STripFET⑩ POWER MOSFET]
分类和应用: 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲PC局域网
文件页数/大小: 9 页 / 332 K
品牌: STMICROELECTRONICS [ STMICROELECTRONICS ]
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STP60NF06 - STP60NF06FP
电气特性
(续)
接通
符号
t
D(上)
t
r
Q
g
Q
gs
Q
gd
参数
导通延迟时间
上升时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
测试条件
V
DD
= 30 V,I
D
= 30 A
R
G
= 4.7Ω V
GS
= 10V
(见测试电路,图3 )
V
DD
= 48V ,我
D
=60A,V
GS
= 10V
分钟。
典型值。
16
108
49
18
14
66
马克斯。
单位
ns
ns
nC
nC
nC
关闭
符号
t
D(关闭)
t
f
t
D(关闭)
t
f
t
c
参数
关断延迟时间
下降时间
关闭电压上升时间
下降时间
交叉时间
测试条件
V
DD
= 30 V,I
D
= 30 A,
R
G
= 4.7Ω, V
GS
= 10V
(见测试电路,图3 )
VCLAMP = 48V ,我
D
= 60 A
R
G
= 4.7Ω, V
GS
= 10V
(见测试电路,图3 )
分钟。
典型值。
43
20
40
12
21
马克斯。
单位
ns
ns
ns
ns
ns
源漏二极管
符号
I
SD
I
SDM
(2)
V
SD
(1)
t
rr
Q
rr
I
RRM
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流(脉冲)
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
SD
= 60 A,V
GS
= 0
I
SD
= 60 A, di / dt的= 100A / μs的,
V
DD
= 25V ,T
j
= 150°C
(见测试电路,图5 )
73
182
5
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
60
240
1.3
单位
A
A
V
ns
nC
A
注: 1。脉冲:脉冲宽度= 300微秒,占空比为1.5% 。
2.脉冲宽度有限的安全工作区。
安全工作区TO- 220
安全工作区TO- 220FP
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