STPS340U/S/B
图。 5 ：
反向漏电流与反向
电压施加（典型值）。
图。 6 ：
结电容与反向
电压施加（典型值）。
IR（ A）
1E-2
Tj=150°C
C（ pF）的
500
F=1MHz
Tj=25°C
Tj=125°C
200
100
50
1E-3
Tj=100°C
1E-4
Tj=75°C
20
VR （ V）
1E-5
0
5
10
15
20
25
30
35
40
10
1
2
5
VR （ V）
10
20
50
图。 7 ：
正向压降与前进
电流（最大值） 。
图。 8-1 ：
热阻结到环境
与各牵头下，铜表面（环氧树脂印刷
电路板FR4 ，铜厚度为35μm ） （ SMB ） 。
Rth的第（j-一）（ ℃/ W）的
120
10.00
IFM （ A）
典型值
Tj=150°C
100
Tj=125°C
1.00
80
60
0.10
VFM （ V）
0.01
0.0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1.0
40
20
S（铜）（平方厘米）
0
0
1
2
3
4
5
图。 8-2 ：
热阻结到环境
与各牵头下，铜表面（环氧树脂印刷
电路板FR4 ，铜厚度为35μm ） （ SMC ） 。
Rth的第（j-一）（ ℃/ W）的
100
80
60
40
20
S（铜）（平方厘米）
0
0
1
2
3
4
5
图。 8-3 ：
热阻结到环境
与各牵头下，铜表面（环氧树脂印刷
电路板FR4 ，铜厚度为35μm ） （ DPAK ） 。
Rth的第（j-一）（ ℃/ W）的
100
80
60
40
20
S（铜）（平方厘米）
0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
4/7
STMICROELECTRONICS [ STMICROELECTRONICS ]
