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PMV40UN2

30 V, N-channel Trench MOSFETProduction

暂无信息

0 NEXPERIA

GRM1552C2A9R6DA01#

民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]

医疗医疗器械

0 MURATA

GRM155B31H223JA12#

民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]

医疗医疗器械

0 MURATA

SCT4045DR是有助于应用产品实现小型化和更低功耗的SiC MOSFET。该产品采用带有驱动器源极引脚的封装形式，可更大程度地激发出SiC MOSFET的高速开关性能。ROHM的第4代SiC MOSFETSCT4系列是改善了短路耐受时间并实现了业界超低导通电阻的第4代产品。与以往产品相比，该系列产品的导通电阻降低了约40%，开关损耗降低了约50%。另外，还支持更容易处理的15V栅-源电压，使应用产品的设计更容易。

开关栅驱动驱动器

1 ROHM

GJM0335C1H5R0WB01#

民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]

医疗医疗器械

0 MURATA

GQM1875C2E510FB12#

民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]

医疗医疗器械

0 MURATA

GCM0335C1E220GA16#

汽车[动力总成 / 安全设备],汽车[信息娱乐 / 舒适设备],植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C]

医疗医疗器械

3 MURATA

BSZ070N08LS5

英飞凌OptiMOS™ 5 功率 MOSFET 逻辑电平特别适用于无线充电、适配器和电信应用。该器件栅极电荷 (Q g) 低，降低开关损耗，而不影响导通损耗。改进品质因数，支持在高开关频率下运行。此外，逻辑电平驱动提供低栅极阈值电压 (V GS(th))，使 MOSFET 能够由 5V 驱动并且直接由微控制器驱动。

开关无线栅驱动控制器电信微控制器栅极

0 INFINEON

GRM0224C1CR40BA03#

民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]

医疗医疗器械

0 MURATA

BD63510AEFV

BD63510AEFV是适用于1/16µ-step的步进电机驱动器。作为基本功能，是低功耗双极PWM恒流驱动器，额定电源为36V、额定输出电流(DC)为1.0A，接口为CLK-IN驱动型。通过内置DAC，励磁模式适用于Full step (2相励磁)、Half step (1-2相励磁)、Quarter step (W1-2 相励磁)、Sixteenth step (4W1-2相励磁）模式，对于电流衰减方式，可自由设定FAST DECAY/SLOW DECAY的比率，可对所有电机实现很好的控制状态。另外，也可使用一个系统电源进行驱动，因此有助于提高整机设计的便利性。

电机驱动驱动器

0 ROHM