300毫安CMOS LDO具有关断，
错误输出和旁路
TC1173
绝对最大额定值*
输入电压................................................ .............. 6.5V
输出电压........................... （V
SS
- 0.3 ）至（Ⅴ
IN
+ 0.3)
功耗....................内部限制（注7 ）
工作温度.................... - 40°C <牛逼
J
＆ LT ; 125°C
储存温度............................ - 65 ° C至+ 150°C
任何引脚............ V最大电压
IN
+ 0.3V至 - 0.3V
引线温度（焊接， 10秒） ................ + 300℃
*最大极限值是指超出损坏器件的工作范围
可能发生的年龄。超出所列范围的器件操作
电动
特征
不推荐使用。
电气特性：
V
IN
= V
OUT
+ 1V ，我
L
= 0.1μA ，C
L
= 3.3μF ， SHDN > V
IH
, T
A
= 25 ℃，除非另有说明。
粗体
参数值适用于对结温 - 40 ° C至+ 125°C
符号
V
IN
I
OUT
最大
V
OUT
∆V
OUT
/∆T
∆V
OUT
/∆V
IN
∆V
OUT
/V
OUT
V
IN
– V
OUT
参数
输入工作电压
最大输出电流
输出电压
V
OUT
温度COEF网络cient
线路调整
负载调整率
输入输出电压差（注4 ）
测试条件
民
—
300
—
V
R
- 2.5%
—
—
—
—
典型值
—
—
±
0.5%
—
40
0.05
0.5
20
80
240
50
0.05
60
550
0.04
260
最大
6.0
—
—
V
R
+ 2.5%
—
0.35
2.0
30
160
480
90
0.5
—
650
—
—
单位
V
mA
V
PPM /°C的
%
%
mV
注1
注2
(V
R
+ 1V ） < V
IN
＆ LT ; 6V
I
L
= 0.1毫安到我
OUT
最大
（注3）
I
L
= 0.1毫安
I
L
= 100毫安
I
L
= 300毫安
SHDN = V
IH
SHDN = 0V
F
RE
≤
1kHz
V
OUT
= 0V
注5
F = 1kHz时，C
OUT
= 1µF,
R
负载
= 50Ω
V
R
I
SS1
I
SS2
PSRR
I
OUT
SC
∆V
OUT
∆P
D
eN
电源电流
关断电源电流
电源抑制比
输出短路电流
热调节
输出噪声
—
—
—
—
—
—
µA
µA
dB
mA
V / W
纳伏/赫兹÷
SHDN输入
V
IH
V
IL
SHDN输入高门槛
SHDN输入低阈值
45
—
—
—
—
15
%V
IN
%V
IN
错误输出
V
民
V
OL
V
TH
V
OL
最低工作电压
输出逻辑低电压
误差阈值电压
ERROR正向回
1毫安流为ERROR
注7：
1.0
—
—
—
—
—
0.95 x垂直
R
50
—
400
—
—
V
mV
V
mV
注意事项：
1. V
R
是用户可编程稳压器输出电压设定。
2. T
C
V
OUT
= (V
OUTMAX
– V
outmin
) x 10
6
V
OUT
x
∆T
3.调节测量时使用低占空比脉冲测试结温恒定。负载稳定度是在负载范围内0.1毫安测试
到指定的最大输出电流。热效应引起的输出电压变化在被覆盖的热调节规范。
4.电压差定义为输入，当输出电压降至低于1V的差分测量其标称值2 ％输出电压差。
5.热稳定度定义为功耗变化后输出电压的变化在时间T ，不包括负载
或线路调节作用。规范针对电流脉冲等于I
LMAX
在V
IN
= 6V为T = 10毫秒。
6.最大允许功耗是环境温度，允许的最大结温度的函数，并且
从结点到空气中（即牛逼热阻
A
, T
J
,
θ
JA
） 。超过最大允许功耗会导致器件触发
热关断。请参阅
散热注意事项
该数据表的详细信息部分。
7.迟滞电压参考V
R
.
TC1173-2
2/2/00
2
TELCOM [ TELCOM SEMICONDUCTOR, INC ]
