1.5A双高速
功率MOSFET驱动器
TC426
TC427
TC428
典型特征
上升和下降时间VS
电源电压
70
C L = 1000pF的
TA = + 25°C
延迟时间（纳秒）
延迟时间与电源电压
90
C L = 1000pF的
TA = + 25°C
吨D2
时间（纳秒）
上升和下降时间VS
温度
40
35
60
50
时间（纳秒）
80
70
60
50
40
C L = 1000 pF的
VDD = 18V
tR
30
25
40
30
20
10
tR
tF
tF
20
15
吨D1
30
10
0
–25
0
5
10
15
电源电压（ V）
20
0
5
10
15
电源电压（ V）
20
0
25
50
75 100 125
150
温度（℃）
延迟时间与温度
100
80
供应电流与
容性负载
1K
70
电源电流（mA ）
上升和下降时间VS
容性负载
TA = + 25°C
VDD = 18V
100
时间（纳秒）
90
延迟时间（纳秒）
C L = 1000pF的
VDD = 18V
tD2
60
50
40
30
20
10
0
10
TA = + 25°C
VDD = 18V
400kHz
tR
80
70
60
50
200kHz
tF
10
40
30
–25
tD1
20kHz
1
100
1000
容性负载（PF ）
10K
10
0
25
50
75 100 125 150
温度（℃）
100
1000
容性负载（PF ）
10K
电源电流与频率
30
T = + 25°C
A
CL = 1000pF的
2.20
高输出电压VS
1.20
TA = + 25°C
输出电压（V）
低输出电压VS
TA = + 25°C
0.96
VDD = 18V
1.76
VDD - VOUT
(V)
VDD = 5V
电源电流（mA ）
20
10V
VDD = 8V
1.32
13V
0.88
0.72
10V
0.48
10
5V
18V
0.44
15V
0.24
0
1
10
100
频率（kHz ）
1000
0
10 20 30 40 50 60 70 80 90 100
灌电流（毫安）
0
10 20 30 40 50 60 70 80 90 100
当前SUNK （毫安）
热降额曲线
电源电压VS
静态电源电流
20
空载
两个输入逻辑"1"
TA = + 25°C
20
电源电压VS
静态电源电流
空载
两个输入逻辑"0"
TA = + 25°C
1600
1400
MAX 。功率（ mW）的
8引脚DIP
8引脚CERDIP
电源电压（ V）
15
电源电压（ V）
15
1200
1000
800
8引脚SOIC
600
400
200
0
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
110
120
10
10
5
5
0
1
2
3
4
5
电源电流（mA ）
6
0
环境温度（ ℃）
0
50
100 150 200 250
电源电流（ μA ）
300
4-172
TELCOM半导体，INC。的
TELCOM [ TELCOM SEMICONDUCTOR, INC ]
