80C154/83C154
外部引脚在空闲和掉电模式表1.状态。
模式
空闲
空闲
掉电
掉电
程序存储器
国内
外
国内
外
ALE
1
1
0
0
PSEN
1
1
0
0
PORT0
端口数据
漂浮的
端口数据
漂浮的
PORT1
端口数据
端口数据
端口数据
端口数据
PORT2
端口数据
地址
端口数据
端口数据
PORT3
端口数据
端口数据
端口数据
端口数据
图4. I / O缓冲器的83C154 （端口1 ， 2 ， 3 ） 。
停止时钟模式
由于静电设计， TEMIC 83C154时钟速度可能
减少直至0 MHz的无内存中的任何数据丢失
或寄存器。该模式允许步步利用率，
允许通过将降低系统功耗
的时钟频率降低到任何值。在0 MHz时，
功耗是一样的，在掉电
模式。
最大灌电流下的直流指定为ITL
规格。当输入低于
大约2 V ， T3将关闭以节约ICC电流。注意，
当返回到一个逻辑1 ，T 2是唯一的内部
拉那就是上。这将导致缓慢的上升时间，如果
用户的电路不强制输入行高。
端口1 ， 2的输入阻抗，2个是可编程
通过寄存器IOCON 。该ALF位（ IOCON0 ）集
所有的端口1 ， 2 ， 3 ，当浮一掉电模式
发生。该P1HZ ， P2HZ ， P3HZ位（ IOCON1 ，
IOCON2 ， IOCON3 ）分别设置在端口P1，P2， P3的
在浮置状态。该IZC （ IOCON4 ）允许您选择
的所有端口（P1， P2，P3）的输入阻抗。当IZC = 0，
我T2和T3上拉/ O端口处于激活状态;内部输入
阻抗大约是10K。当IZC = 1只T2
拉起来是有效的。在T3的上拉是由IZC关闭。该
内部阻抗约为100K。
振荡器特性
XTAL1和XTAL2分别为输入和输出分别
其被配置为用作一个反相放大器的
片上振荡器，如图5任一石英
晶体或陶瓷谐振器都可以使用。
图5.晶体振荡器。
I / O端口
在I / O驱动器P1，P2的83C154的P3为
阻抗可编程。在I / O缓冲区的端口1 ， 2
和图3中实现所示。
图4中。
当锁存器0 ，如图4所有的PFET的
断而nFET的导通。当端口锁存器
使一个0到1的转变，该nFET的熄灭。强劲
上拉的pFET ， T1 ，打开两个振荡周期，
拉输出高电平十分迅速。作为输出行是
绘制高， pFET的T3的导通通过逆变器来
提供IOH电流。该逆变器和T3形式
一闩锁，其保持1和支持T 2。当
端口2用作地址端口，用于连接到外部
数据存储器中的程序，任何地址位，其中包含一个
1将他强上拉打开整个
持续时间的外部存储器存取。
当在端口1 ，2或3的I / O引脚作为输入，则
用户应该知道，外部电路必须下沉
逻辑1到0的转换期间的电流。该
为了从外部时钟源驱动器件，
而XTAL2留下XTAL1应该是驱动
未连接的，如图
图6 。
没有
在外部时钟的占空比要求
信号，由于输入到内部时钟电路是
通过除以2的触发器，但最小和
在数据表中规定的最大高电平和低电平时间
必须遵守。
MATRA MHS
Rev.F （ 97年1月14日）
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TEMIC [ TEMIC SEMICONDUCTORS ]
