SLUS606B
−
2004年6月
−
修订后的2004年11月
bq24100 ， bq24103 ， BQ24105
bq24108 ， bq24113 ， bq24115
电气特性（续）
T
J
= 0℃至125 ℃，推荐的电源电压范围（除非另有说明）
参数
测试条件
100毫伏
≤
V
IREG预
≤
100毫伏，
V
IREG * PRE
+
0.1V
RSET2
1000,
民
典型值
最大
单位
V
IREG预
R两端的电压调节
SNS
−
准确性
（ PGM ）
哪里
1.2 kΩ
≤
RSET2
≤
为10kΩ ，选择RSET1
编程V
IREG - PRE ，
V
IREG预
（测量值） =我
OPRE - CHG
×
R
SNS
（ -20 ％ 〜+ 20 ％不包括因RSET1错误
和R
SNS
公差）
−20%
20%
充电终止（电流锥度）检测
I
TERM
V
TERM
K
(ISET2)
充电电流终止探测器
化范围
充电终止检测组
电压， ISET2
终止当前设定的因素
充电终止精度
t
DG- TERM
抗尖峰脉冲时间充电终止
V
我（ BAT ）
＆ GT ; V
RCH
上升和下降，
t
上升
, t
秋天
= 100纳秒
2 mV过
−20%
20
30
V
我（ BAT ）
＆ GT ; V
RCH
V
我（ BAT ）
＆ GT ; V
RCH
15
100
1000
20%
40
ms
200
mA
mV
V / A
温度比较器和VTSB偏置稳压器
V
LTF
V
HTF
V
TCO
寒冷的温度阈值， TS
热温度阈值， TS
截止温度阈值， TS
LTF滞后
t
DG -TS
V
O（ VTSB ）
V
O（ VTSB ）
抗尖峰脉冲时间，温度故障，
TS
TS偏置输出电压
TS偏置电压调节精度
上升和下降，
t
上升
, t
秋天
= 100纳秒
V
CC
＆ GT ; V
IN（分钟）
,
I
（ VTSB ）
= 10毫安
V
CC
＆ GT ;
IN（分钟）
,
I
（ VTSB ）
= 10毫安
低于V
OREG
V
我（ BAT ）
<下降低于阈值，
t
秋天
= 100纳秒
10 mV过
2 mV过
72.8
33.7
28.7
0.5
20
73.5
34.4
29.3
1.0
30
3.15
−10%
10%
74.2
35.1
29.9
1.5
40
ms
V
%
V
O（ VTSB ）
O（ S）
0.1
µF ≤
C
O（ VTSB ）
≤
1
µF,
0.1
µF ≤
C
O（ VTSB ）
≤
1
µF,
电池再充电阈值
V
RCH
t
DG- RCH
再充电阈值电压
抗尖峰脉冲时间
75
20
100
30
125
40
毫伏/格
ms
STAT1 ， STAT2和PG产出
V
OL （ STATx ）
V
OL （ PG ）
低电平输出饱和电压，
STATX
低电平输出饱和电压，
PG
低电平输入电压
高电平输入电压
I
O
= 5毫安
I
O
= 10毫安
0.5
V
0.1
CE CMODE ，细胞输入量
V
IL
V
IH
I
IL
= 5
µA
I
IH
= 20
µA
0.0
1.3
0.4
V
CC
V
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5
TI [ TEXAS INSTRUMENTS ]
