TLC271 ， TLC271A ， TLC271B
路LinCMOS ™可编程低功耗
运算放大器
SLOS090D - 1987年11月 - 修订2001年3月
设备特点
参数“
PD
SR
Vn
B1
BIAS选模式
高
3375
3.6
25
1.7
中
525
0.4
32
0.5
170
低
50
0.03
68
0.09
480
单位
µW
V / μs的
纳伏/赫兹÷
兆赫
V / MV
AVD
23
†典型在VDD = 5V ， TA = 25℃
描述（续）
使用偏置选择选项，这些成本效益的设备可以被编程以跨越大范围的
应用以前需要的BiFET ， NFET ，或双极性技术。三失调电压等级的
可用的（C-后缀和I-后缀类型） ，从低成本TLC271 （10毫伏）到TLC271B （2毫伏）
低偏移的版本。极高的输入阻抗和低偏置电流，在具有良好的结合
共模抑制和电源电压抑制，使这些器件新的好选择
先进设备，最先进的设计，以及升级现有设计。
一般情况下，在路LinCMOS ™运算放大器可提供双极技术相关的许多功能，
没有双极性工艺的功率损失。一般应用，如换能器的接口，模拟
计算，放大器块，有源滤波器和信号缓冲都容易设计与TLC271 。该
器件还具有低电压单电源工作，使它们非常适用于远程和
人迹罕至的电池供电的应用。的共模输入电压范围包括负供电轨。
广泛的封装选项是可用的，包括小外形和芯片载体的版本为高密度
系统的应用程序。
该器件的输入和输出设计，可以承受 - 100 mA的浪涌电流而不遭受闭锁。
该TLC271内部集成了ESD保护电路，防止功能失效的电压高达2000
V根据MIL - STD- 883C ，方法3015.2的测试;但是，应注意在操作这些设备的行使
由于暴露于静电放电可能会导致器件性能参数的劣化。
在C-后缀器件的特点是操作从0℃至70℃。后缀为I的设备的特点
从操作 - 40 ° C至85°C 。后缀为M的器件的特点是工作在整个军用
温度范围 - 55 ° C至125°C 。
偏向选择功能
该TLC271提供了一个偏置选择功能，允许用户选择三个偏置电平的任何一个视
在性能水平所需。偏置电平之间的权衡涉及的AC性能和功耗
耗散（见表1） 。
偏置选择对性能表1.影响
典型参数值是
25 C,
TA = 25 ℃， VDD = 5 V
PD
SR
Vn
B1
φ
m
AVD
功耗
压摆率
在f = 1kHz的等效输入噪声电压
单位增益带宽
相位裕度
大信号的差分电压放大
模式
高偏置
RL = 10 kΩ的
3.4
3.6
25
1.7
46°
23
中等偏差
RL = 100 kΩ的
0.5
0.4
32
0.5
40°
170
低偏置
RL = 1 MΩ
0.05
0.03
68
0.09
34°
480
V / MV
单位
mW
V / μs的
纳伏/赫兹÷
兆赫
2
邮政信箱655303
•
达拉斯，德克萨斯州75265
TI [ TEXAS INSTRUMENTS ]
