tm
TE
CH
T2316405A
初步T2316407A
AC特性
（注1,2,3） （大= 0 〜70
°
C)
测试条件：
T2316405A - 10 VCC = 2.6V
±
0.2V ， T2316407A -50 / 70分之60 VCC = 3.3V
±
0.3V
V
IH
/V
IL
=2.0/0.8V,V
OH
/V
OL
=2.0/0.8V
输入上升和下降时间： 2ns的，输出负载： 2TTL门+ CL （ 100pF的）
AC特性
参数
读或写周期时间
读写周期时间
EDO -页面模式读取或写入周期时间
EDO -PAGE -MODE读 - 写周期时间
从RAS访问时间
从CAS访问时间
从OE访问时间
从列地址访问时间
访问时间从
CAS
预充电
RAS脉冲宽度
RAS脉冲宽度（ EDO页面模式）
RAS保持时间
RAS预充电时间
CAS
脉冲宽度
符号
-50
-60
-70
124
160
30
78
70
-10
180
240
40
120
100
单位注
最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值
TRC
84
104
tRWC 108
135
TPC
20
25
TPCM 56
68
TRAC
50
60
大隘社
13
15
TOAC
13
15
TAA
25
30
TACP
30
35
tRAS的50 10K 10K 60
tRASC
100
100
50
60
K
K
tRSH
8
10
激进党
30
40
TCAS
TCSH
TCP
tRCD的
TCRP
TASR
tRAH
TRAD
TASC
tCAH
TAR
二尖瓣
储税券
传输信道
tRRH
TCLZ
tOFF1
38
10
12
5
0
8
10
0
8
21
25
0
0
0
0
0
12
37
40
10
14
5
0
10
12
0
10
24
30
0
0
0
0
0
15
45
20
25
20
25
35
50
40
55
70 10K 100 10K
100
100
70
100
K
K
13
25
ns
ns
ns
ns
NS 4
NS 5
NS 13
NS 8
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
NS 7
ns
ns
ns
NS 8
ns
ns
ns
ns
NS 14
9,14
ns
ns
ns
9
50
70
8 10K 10 10K 13 10K 25 10K
45
10
14
5
0
10
12
0
13
27
35
0
0
0
0
0
20
50
100
10
25
5
0
15
20
0
20
45
50
0
0
0
0
0
25
75
CAS保持时间
CAS
预充电时间（ EDO页面模式）
RAS到CAS的延迟时间
CAS到RAS预充电时间
行地址建立时间
行地址保持时间
RAS到列地址的延迟时间
列地址设置时间
列地址保持时间
列地址保持时间（参考
RAS ）
列地址到RAS交货时间
READ命令设置时间
读命令保持时间参考
CAS
25
30
35
50
读命令保持时间参考
RAS
CAS
到输出低-Z
输出缓冲关断延迟从CAS或
RAS
ns
10,16
台湾记忆体技术，公司保留权利
P. 5
改变产品或规格，恕不另行通知。
出版日期：四月2001年
修订： 0.B
TMT [ TAIWAN MEMORY TECHNOLOGY ]
