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    XC61HN1612MR-G 参数 Datasheet PDF下载

    XC61HN1612MR-G图片预览
    型号： XC61HN1612MR-G
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 电压检测器与延迟电路内置 [Voltage Detector with Delay Circuit Built-In]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 13 页 / 569 K
    品牌： TOREX [ TOREX SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号XC61HN1612MR-G的Datasheet PDF文件第1页浏览型号XC61HN1612MR-G的Datasheet PDF文件第2页浏览型号XC61HN1612MR-G的Datasheet PDF文件第3页浏览型号XC61HN1612MR-G的Datasheet PDF文件第5页浏览型号XC61HN1612MR-G的Datasheet PDF文件第6页浏览型号XC61HN1612MR-G的Datasheet PDF文件第7页浏览型号XC61HN1612MR-G的Datasheet PDF文件第8页浏览型号XC61HN1612MR-G的Datasheet PDF文件第9页  
    XC61H
    系列
    “绝对
    最大额定值
    参数
    输入电压
    输出电流
    CMOS
    输出电压
    N沟道开漏
    功耗
    SOT-23
    工作温度范围
    存储温度范围
    符号
    V
    IN
    I
    OUT
    RESTB
    Pd
    TOPR
    TSTG
    评级
    12.0
    50
    V
    SS
    -0.3 ~V
    IN
    +0.3
    V
    SS
    -0.3 ~ 12
    250
    -30∼+80
    -40∼+125
    Ta=25℃
    单位
    V
    mA
    V
    mW
    ℃
    ℃
    ⅵELECTRICAL
    特征
    参数
    检测电压
    滞后幅度
    符号
    V
    DF
    V
    HYS
    V
    IN
    = 1.5V
    V
    IN
    = 2.0V
    V
    IN
    = 3.0V
    V
    IN
    = 4.0V
    V
    IN
    = 5.0V
    V
    DF
    =1.6V∼6.0V
    V
    IN
    = 1.0V
    V
    IN
    = 2.0V
    V
    IN
    = 3.0V
    V
    IN
    = 4.0V
    V
    IN
    = 5.0V
    V
    IN
    = 8.0V
    -
    I
    泄漏
    N沟道开漏
    检测电压
    温度特性
    解除延迟时间
    (V
    DR
    →
    RESEB反转）
    ΔV
    DF
    ΔTopr�½�V
    DF
    t
    DR
    V
    IN
    变化范围为0.6V至10V
    V
    IN
    =10.0V, V
    OUT
    =10.0V
    -
    -
    50
    80
    1
    0.01
    ±100
    -
    -
    -
    0.1
    -
    200
    400
    50
    PPM / °
    ms
    条件
    分钟。
    V
    DF （T ）
    x 0.98
    V
    DF
    x 0.02
    -
    -
    -
    -
    -
    0.7
    1.0
    3.0
    5.0
    6.0
    7.0
    典型值。
    V
    DF （T ）
    V
    DF
    x 0.05
    0.9
    1.0
    1.3
    1.6
    2.0
    -
    2.2
    7.7
    10.1
    11.5
    13.0
    -10.0
    0.01
    马克斯。
    V
    DF （T ）
    x 1.02
    V
    DF
    x 0.08
    2.6
    3.0
    3.4
    3.8
    4.2
    10.0
    -
    -
    -
    -
    -
    -2.0
    -
    μA
    单位
    V
    V
    TA = 25°
    电路
    ①
    ①
    电源电流
    (*1)
    I
    SS
    μA
    ②
    工作电压
    V
    IN
    V
    ①
    输出电流
    I
    OUT
    N沟道，V
    DS
    = 0.5V
    mA
    ③
    P -CH ，V
    DS
    =2.1V
    （ CMOS输出）
    泄漏
    当前
    CMOS输出
    ④
    ③
    -
    ⑤
    V
    DF
    （T ）是标称电压检测值
    释放电压： V
    DR
    = V
    DF
    + V
    HYS
    （* 1）在加电期间开始时的供电电流，直到输出是稳定的（释放操作过程中）为2μA大于与相比于周期
    因为在当前的延迟的直通电流的释放完成操作之后。
    4/13

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