XC62E
系列
■典型应用电路
GStandard
电路
PNP Tr的
R
BE
R
B
EXT
C
IN
（钽）
V
IN
V
OUT
C
L
（钽）
V
IN
R
Ｌ
外设：
CE
VSS
PNP Tr的：生产的2SA1213
R
BE
R
B
C
IN
C
L
: 20kΩ∼47kΩ
：详见附注2下页。
： 10μF （钽）
： 47μF （钽） 10μF最低
3
■操作说明
GFunctional
描述
输出电压（V
OUT
）可以是固定的通过修改外部晶体管的基极电流。这可以通过比较所检测的电压电平进行
与设定电压的电源电平。
与XC62EP （CE负电压）时，如果上述的CE引脚的"H"电平的电压时， IC将进入待机模式，其中的碱和
差分放大器的电流调节。
■使用指南
GSuggestions
对于外部组件
1. PNP晶体管
一个晶体管的选择应考虑到的输出电流，输入电压和功率耗散为每个特定的应用程序。这是
建议在具有低输出饱和电压（晶体管V
CE
）和高ħ
FE
使用特性。
2. R
B
电阻器
虽然在IC单元由基极电流汇款人电路保护，则建议一个电阻器（R
B
）之间连接的
晶体管的基极和IC的EXT引脚，以保护三极管。
所需的输出电流可以用下面的方程，尽管使用的特性变化和条件应被计算
使用前请仔细检查。下面的等式还表示需要获得我的条件
OUT
（最大）在V
IN
（分钟） 。然而，该
更大的输入电流，较大的输出电流（I
OUT
）可以得到。
V
IN
(min)-1.2(V)
R
B
0.7(V)
R
BE
I
OUT
（最大）
h
FE
3. R
BE
电阻，C
L
电容
为了防止振荡，由于输出负载的变化，利用相位补偿电容C
L
值得推荐。请使用钽
电容至少10μF的。还请使用的R
BE
电阻小于47千欧姆。
的R
BE
对20kΩ的和47kΩ的电阻，建议更低的功耗。
4.输入阻抗
为了控制振荡带来作为在电源线阻抗的结果是，连接10μF以上的电容器（钽）
外部晶体管的发射极和接地端子之间。
GSpecial
记
1.保护电路
内置的保护电路是只保护IC 。因此，为了防止输出短路和过冲电流通过晶体管，使用一个
电阻R
B
或过冲电流保护电路被推荐。
护理也应考虑与晶体管的功耗。
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