XP131A0616SR
•电气特性
漏极/源极电压与电容
10000
VGS = 0V ， F = 1MHz的
功率MOSFET
开关时间与漏电流
1000
VGS = 5V时，VDD ≒ 10V ， PW = 10微秒。占空比≦ 1％
电容：西塞，科斯，的Crss （PF ）
西塞
1000
科斯
开关时间： T（ NS ）
tf
100
td
（关闭）
CRSS
tr
100
0
5
10
15
20
10
td
（上）
0.1
1
10
漏/源极电压： Vds的（V ）
漏电流： ID（ A）
栅极/源极电压与栅极电荷
5
VDS = 10V ，ID = 10A
反向漏电流与源极/漏极电压
30
25
Vgs＝4.5V
20
15
1.5V
10
5
0
0,-4.5V
2.5V
脉冲测试
栅极/源极电压：栅极电压（V ）
u
4
3
2
1
0
0
10
20
30
40
50
反向漏电流： ID（ A）
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
栅极电荷：的Qg （ NC ）
源极/漏极电压： VSD （V ）
界面标准过渡热电阻与脉冲宽度
标准化过渡热电阻： γS （ T）
第r （ CH-A ） = 50℃ / W， （实现在玻璃环氧印刷电路板）
10
1
单脉冲
0.1
0.01
0.001
0.0001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
脉冲宽度： PW （秒）
348
TOREX [ TOREX SEMICONDUCTOR ]
