XP134A11A1SR
功率MOSFET
ETR1114_001
■一般
描述
该XP134A11A1SR是一个P沟道功率MOSFET具有低通态电阻和超高速开关
特征
两个FET器件内置在一个封装中。
因为高速切换是可能的,该IC可以有效地设置,从而节省能源。
小型SOP -8封装,使高密度安装成为可能。
■应用
笔记本¡
个
(蜂窝
和手提电话
●板载
电源
●锂离子
电池系统
■特点
低通态电阻
: RDS(ON) = 0.065Ω ( VGS = -10V )
: RDS(ON) = 0.11Ω ( VGS = -4.5V )
超高速开关
驱动电压
DMOS结构
两个FET器件内置
包
: SOP- 8
: -4.5V
P沟道功率MOSFET
针
CON组fi guration
针
转让
引脚数
引脚名称
功能
1
2
3
4
5~6
7~8
S1
G1
S2
G2
D2
D1
来源
门
来源
门
漏
漏
●等效
电路
“绝对
最大额定值
T
a = 25℃
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流( DC )
漏电流(脉冲)
反向漏电流
信道功率耗散*
通道温度
存储温度范围
符号额定值单位
VDSS
VGSS
Id
IDP
IDR
Pd
总胆固醇
TSTG
-30
±20
-4
-16
-4
2
150
-55~150
V
V
A
A
A
W
℃
℃
*在玻璃环氧树脂印刷电路板实现时,
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