XP134A11A1SR 参数 Datasheet PDF下载

型号：	XP134A11A1SR
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内容描述：	P沟道功率MOS FET [P-Channel Power MOS FET]
分类和应用：	晶体晶体管功率场效应晶体管
文件页数/大小：	4 页 / 63 K
品牌：	TOREX [ TOREX SEMICONDUCTOR ]

■

电气特性

漏电流比。漏/源极电压

-16

-10V

-5V

-4.5V

-4V

TA = 25 ℃时，脉冲测试

漏电流比。栅极/源极电压

-16

VDS = -10V ，脉冲测试

25℃

漏电流： ID（ A）

-12

漏电流： ID（ A）

Ta=-55℃

125℃

-8

-3.5V

-8

-4

-3V

Vgs=-2.5V

-4

-1

-2

-3

-4

-5

-1

-2

-3

-4

-5

漏/源极电压： Vds的（V ）

栅极/源极电压：栅极电压（V ）

漏极/源极导通电阻比。栅极/源极电压

0.25

TA = 25 ℃时，脉冲测试

漏极/源极导通电阻比。漏电流

TA = 25 ℃时，脉冲测试

漏极/源极导通电阻

： RDS（ON）（ Ω ）

0.2

漏极/源极导通电阻

： RDS（ON）（ Ω ）

0.15

-2A

Id=-4A

Vgs=-4.5V

10V

0.1

0.05

-2

-4

-6

-8

-10

0.01

-4

-8

-12

-16

栅极/源极电压：栅极电压（V ）

漏电流： ID（ A）

漏极/源极导通电阻比。环境温度。

栅/源截止电压差异

：栅极电压（关）方差（V ）

0.25

脉冲测试

栅/源截止电压差异比。环境温度。

0.8

0.6

0.4

0.2

-0.2

-0.4

-0.6

-0.8

-50

VDS = -10V ，ID = -1mA

漏极/源极导通电阻

： RDS（ON）（ Ω ）

0.2

0.15

Id=-4A

Vgs=-4.5V

0.1

-2A

-2A, -4A

0.05

-10V

-50

100

150

100

150

环境温度：范围Topr （ ℃ ）

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