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XP134A1275SR 参数 Datasheet PDF下载

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型号: XP134A1275SR
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内容描述: P沟道功率MOS FET [P-Channel Power MOS FET]
分类和应用:
文件页数/大小: 4 页 / 157 K
品牌: TOREX [ TOREX SEMICONDUCTOR ]
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XP134A1275SR
电容与漏源电压
10000
VGS = 0V , F = 1MHz时, TA = 25 ℃
开关时间与漏电流
1000
VGS = -5V , Vdd的≒ -10V , PW = 10微秒,占空比≦ 1 %以下,Ta = 25 ℃
1000
西塞
科斯
CRSS
开关时间: T( NS )
电容:C (PF )
tf
100
TD (关闭)
100
tr
TD (上)
10
0
-5
-10
-15
-20
10
0
2
4
6
8
10
漏源电压: Vds的(V )
漏电流: ID( A)
栅源电压与栅极电荷
-10
VDS = -10V ,ID = -4.5A , TA = 25 ℃
反向漏电流
与源极 - 漏极电压
-18
TA = 25 ℃时,脉冲测试
反向漏电流: Im额定(A)
栅源电压:栅极电压(V )
-8
-15
-12
-4 .5V
-2 .5V
-6
-9
-6
的Vgs = 0V , 4.5V
-4
-2
-3
0
0
0
5
10
15
20
25
30
0
-0.2
-0.4
-0.6
-0.8
-1
-1.2
栅极电荷:的Qg ( NC )
源极 - 漏极电压: VSD (V )
界面标准过渡热电阻与脉冲宽度
标准化过渡​​热电阻: γS ( T)
11
10
第r ( CH-A ) = 62.5 ℃ / W (已实现在玻璃环氧印刷电路板)
1
单脉冲
0.1
0.01
0.001
0.0001
0.001
0. 1
0
0.1
1
10
100
脉冲宽度: PW (秒)
786