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XP151A03A7MR 参数 Datasheet PDF下载

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型号: XP151A03A7MR
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内容描述: 功率MOS FET [Power MOS FET]
分类和应用:
文件页数/大小: 4 页 / 56 K
品牌: TOREX [ TOREX SEMICONDUCTOR ]
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XP151A03A7MR特点
漏极/源极电压与电容
10000
VGS = 0V , F = 1MHz的
1000
开关时间与漏电流
VGS = 5V时,VDD ≒ 10V , PW = 10微秒。占空比≦ 1%
电容:西塞,科斯,的Crss (PF )
tf
开关时间: T( NS )
1000
西塞
100
td
(关闭)
td
(上)
10
tr
100
科斯
CRSS
10
0
10
20
1
0.1
1
10
漏/源极电压: Vds的(V )
漏电流: ID( A)
栅极/源极电压与栅极电荷
5
VDS = 10V ,ID = 0.8A
反向漏电流与源极/漏极电压
脉冲测试
2.5
Vgs=4.5V
栅极/源极电压:栅极电压(V )
反向漏电流: ID( A)
4
2
2.5V
1.5
1.5V
1.0
0,-4.5V
0.5
u
3
2
1
0
0
2
4
6
8
0.0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
栅极电荷:的Qg ( NC )
源极/漏极电压: VSD (V )
界面标准过渡热电阻与脉冲宽度
标准化过渡​​热电阻: γS ( T)
10
第r ( CH-A ) = 250℃ / W, (实现在玻璃环氧印刷电路板)
1
单脉冲
0.1
0.01
0.001
0.0001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
脉冲宽度: PW (秒)
453