功率MOS FET
NN-通道
功率MOS FET
NDMOS
结构
N低
导通状态电阻: 0.05Ω (最大)
NUltra
高速开关
NSOT-89
包
NGATE
保护二极管内置
■应用
GNotebook
个
GCellular
和手提电话
坤板
电源
GLI离子
电池系统
■概述
该XP161A1355PR是一个N沟道功率MOS FET的低通态
电阻和超高速开关特性。
因为高速切换是可能的,该IC可以有效地设置
从而节省了能源。
栅极保护二极管内置防止静电损坏。
小型SOT- 89封装,使高密度安装成为可能。
■特点
低通态电阻
: RDS(ON) = 0.05Ω ( VGS = 4.5V )
: RDS(ON) = 0.07Ω ( VGS = 2.5V )
: RDS(ON) = 0.15Ω ( VGS = 1.5V )
超高速开关
栅极保护二极管内置
工作电压
: 1.5V
高密度安装
: SOT- 89
■引脚CON组fi guration
■引脚分配
针
数
1
针
名字
G
D
S
功能
门
漏
来源
1
G
2
D
3
S
2
3
SOT-89
( TOP VIEW )
11
■等效电路
.Absolute最大额定值
Ta=25
O
C
参数
漏 - 源极电压
栅 - 源电压
漏电流( DC )
漏电流(脉冲)
反向漏电流
连续通道
功耗(注)
通道温度
储存温度
符号
VDSS
VGSS
Id
IDP
IDR
Pd
总胆固醇
TSTG
评级
20
±
8
4
16
4
2
150
- 55 ~ 150
单位
V
V
A
A
A
W
C
C
1
2
3
N沟道MOS FET
( 1装置内置)
O
O
(注) :当在陶瓷PCB实现
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