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AGR09130E 参数 Datasheet PDF下载

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型号: AGR09130E
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内容描述: 130 W, 921兆赫, 960兆赫, N沟道电子模式,横向MOSFET [130 W, 921 MHz-960 MHz, N-Channel E-Mode, Lateral MOSFET]
分类和应用: 电子
文件页数/大小: 10 页 / 441 K
品牌: TRIQUINT [ TRIQUINT SEMICONDUCTOR ]
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AGR09130E  
130 W, 921 MHz—960 MHz, N-Channel E-Mode, Lateral MOSFET  
Typical Performance Characteristics (continued)  
200  
180  
160  
140  
120  
100  
80  
100  
80  
940 MHz  
P
OUT  
960 MHz  
920 MHz  
960 MHz  
P
IN  
60  
60  
40  
40  
940 MHz  
920 MHz  
2.50  
20  
20  
0
0
0.00  
0.50  
1.00  
1.50  
2.00  
3.00  
3.50  
4.00  
INPUT POWER (PIN) (W)Z  
VDD = 26 V, IDQ = 1.0 A, TF = 30 °C, FORMAT = CW.  
Figure 4. POUT and Drain Efficiency vs. PIN  
19  
18.5  
18  
0
-2  
P
G
@ POUT = 50 W  
-4  
PG @ POUT = 130 W  
17.5  
17  
-6  
-8  
16.5  
16  
-10  
-12  
-14  
-16  
-18  
-20  
RL  
15.5  
15  
14.5  
14  
920  
925  
930  
935  
940  
945  
950  
955  
960  
FREQUENCY (MHz)Z  
VDD = 26 V, IDQ = 1.0 A, TF = 30 °C.  
Figure 5. Power Gain and Return Loss vs. Frequency