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2SB1122 参数 Datasheet PDF下载

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型号：	2SB1122
PDF下载：	下载PDF文件查看货源
内容描述：	通过FBET过程中非常小的尺寸使其易于提供高密度混合ICS [Adoption of FBET process Very small size making it easy to provide highdensity hybrid ICS]
分类和应用：
文件页数/大小：	2 页 / 111 K
品牌：	TYSEMI [ TY Semiconductor Co., Ltd ]

浏览型号2SB1122的Datasheet PDF文件第2页

Product specification

2SB1122

Features

Adoption of FBET process..

Very small size making it easy to provide highdensity

hybrid IC’

s.

Absolute Maximum Ratings Ta = 25

Parameter

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

Collector current (pulse)

Collector dissipation

Jumction temperature

Storage temperature

Symbol

V

CBO

V

CEO

V

EBO

I

C

I

CP

P

C

T

j

T

stg

Rating

-60

-50

-5

-1

-2

500

150

-55 to +150

Unit

V

V

V

A

A

mW

http://www.twtysemi.com

sales@twtysemi.com

4008-318-123

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