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型号: 2N5551
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内容描述: 开关和放大在高电压高电压( max.180V ) [Switching and amplification in high voltage High voltage(max.180V)]
分类和应用: 晶体开关晶体管
文件页数/大小: 1 页 / 146 K
品牌: TYSEMI [ TY Semiconductor Co., Ltd ]
   
DIP
TYPE
SMD型
SMD
TYPE
晶体管
IC
晶体管
产品speci fi cation
2N5551
特点
开关和放大高压
应用,如电话
低电流(最大600毫安)
高电压( max.180V )
绝对最大额定值大= 25
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流连续
集电极耗散功率
结温和存储温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
Pc
T
J
, T
英镑
等级
180
160
6
0.6
625
-55到+150
单位
V
V
V
A
mW
电气特性TA = 25
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压*
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CBO
I
EBO
Testconditons
I
C
= 100 ¼A ,我
E
= 0
I
C
= 1.0毫安,我
B
= 0
I
E
= 10 μA ,我
C
= 0
V
CB
= 120 V,I
E
= 0
V
EB
= 4.0 V,I
C
= 0
I
C
= 1.0毫安, V
CE
= 5 V
直流电流增益*
h
FE
I
C
= 10 mA时, V
CE
= 5 V
I
C
= 50 mA时, V
CE
= 5 V
集电极 - 发射极饱和电压*
V
CE ( SAT )
I
C
= 10 mA时,我
B
= 1毫安
I
C
= 50 mA时,我
B
= 5毫安
基射极饱和电压*
Transiston频率
集电极输出电容
输入电容
噪声系数
*脉冲测试:脉冲宽度= 300
V
BE ( SAT )
f
T
C
ob
C
ib
NF
S,占空比= 2.0 % 。
I
C
= 10 mA时,我
B
= 1毫安
I
C
= 50 mA时,我
B
= 5毫安
V
CE
=10V,I
C
=10mA,f=100MHz
V
CB
=10V,I
E
=0,f=1MHz
V
BE
=0.5V,I
C
=0,f=1MHz
V
CE
=5V,I
c
= 0.25毫安中,f = 10Hz至
15.7KHz,R
s
=1k
100
80
80
30
0.15
0.2
1.0
1.0
300
6
20
8
兆赫
pF
pF
dB
V
V
250
180
160
6
50
50
典型值
最大
单位
V
V
V
nA
nA
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sales@twtysemi.com
4008-318-123
1 1