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4N26 参数 Datasheet PDF下载

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型号：	4N26
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内容描述：	行业标准单通道6引脚DIP光耦合器 [Industry Standard Single Channel 6 Pin DIP Optocoupler]
分类和应用：	光电输出元件
文件页数/大小：	6 页 / 411 K
品牌：	VISHAY [ VISHAY ]

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4N35/36/37/38—Characteristics T =25°C

A

Emitter

Symbol

Min. Typ. Max. Unit

Condition

Forward Voltage*

V

1.3

1.5

1.7

V

I =10 mA

F

F

F

0.9

I =10 mA, T =–55°C

A

Reverse Current*

Capacitance

Detector

I

0.1

25

10

µA

V =6.0 V

R

R

C

—

pF

V =0, f=1.0 MHz

R

O

Breakdown Voltage, Collector-Emitter*

4N35/36/37

BV

30

80

7.0

70

80

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

50

50

500

—

—

V

I =1.0 mA

CEO

C

4N38

—

Breakdown Voltage, Emitter-Collector*

Breakdown Voltage, Collector-Base*

BV

BV

—

V

I =100 µA

ECO

CBO

E

4N35/36/37

4N38

—

V

I =100 µA, I =1.0 µA

C

B

—

—

nA

Leakage Current, Collector-Emitter*

Leakage Current, Collector-Emitter*

4N35/36/37

4N38

I

I

5.0

—

V

=10 V, I =0

F

CEO

CE

CE

CE

CE

CE

V

V

V

V

=60 V, I =0

F

4N35/36/37

4N38

—

µA

pF

%

=30 V, I =0, T =100°C

CEO

F

A

6.0

6.0

=60 V, I =0, T =100°C

F A

Capacitance, Collector-Emitter

Package

C

=0

CE

DC Current Transfer Ratio*

4N35/36/37

4N38

CTR

100

20

40

—

—

—

—

—

—

—

—

—

V

V

V

=10 V, I =10 mA,

F

CE

CE

CE

—

=1.0 V, I =20 mA

F

DC Current Transfer Ratio*

4N35/36/37

4N38

CTR

50

30

—

%

=10 V, I_F=10 mA,

T =–55 to 100°C

A

—

—

Ω

11

Resistance, Input to Output*

Coupling Capacitance

R

10

—

—

V =500 V

IO

IO

C

0.5

10

pF

µs

f=1.0 MHz

IO

Switching Time*

t_ON, t_OFF

I =2.0 mA, R =100 Ω, V =10 V

C

L

CC

* Indicates JEDEC registered value

H11A1 through H11A5—Characteristics T =25°C

A

Emitter

Symbol

Min. Typ. Max. Unit

Condition

Forward Voltage

H11A1–H11A4

V

—

—

—

—

1.1

1.1

—

1.5

1.7

10

—

V

I_F=10 mA

F

H11A5

Reverse Current

I

µA

V_R=3.0 V

R

Capacitance

C

50

pF

V_R=0, f=1.0 MHz

0

Detector

Breakdown Voltage, Collector-Emitter

Breakdown Voltage, Emitter-Collector

Breakdown Voltage, Collector-Base

Leakage Current, Collector-Emitter

Capacitance, Collector-Emitter

Package

BV

BV

BV

30

7.0

70

—

—

—

—

—

50

—

V

I_C=1.0 mA, I =0 mA

CEO

ECO

CBO

F

—

V

I =100 µA, I =0 mA

E

F

—

V

I_C=10 µA, I =0 mA

F

I

5.0

6.0

nA

pF

V_CE=10 V, I =0 mA

CEO

F

C

—

V_CE=0

CE

DC Current Transfer Ratio

H11A1

H11A2/3

H11A4

H11A5

CTR

50

20

10

30

—

—

—

—

—

—

—

—

0.4

—

—

%

V_CE=10 V, I_F=10 mA

—

—

—

Saturation Voltage, Collector-Emitter

Capacitance, Input to Output

Switching Time

V

—

V

I

=0.5 mA, I_F=10 mA

CE

CE

sat

C

0.5

3.0

pF

µs

—

IO

t_ON, t_OFF

I_C=2.0 mA, R =100 Ω, V =10 V

L CE

Document Number: 83717

Revision 17-August-01

www.vishay.com

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