最大额定值
T
A
=25
°
C
辐射源
反向电压................................................ .......................................... 6.0 V
正向电流................................................ ........................................ 60毫安
浪涌电流（T
≤
10
µ
S） ................................................ ............................... 2.5 A
功耗................................................ ................................... 100毫瓦
探测器
集电极 - 发射极击穿电压............................................. .............. 70 V
发射极 - 基极击穿电压............................................. ................... 7.0 V
集电极电流................................................ ....................................... 50毫安
集电极电流（T <1.0毫秒） ........................................... .........................百毫安
功耗................................................ ................................... 150毫瓦
包
绝缘测试电压............................................... ........................... 5300 V
RMS
爬电................................................. .............................................
≥
7.0 mm
通关................................................. ............................................
≥
7.0 mm
发射器和探测器之间的隔离厚度...............................
≥
0.4 mm
符合DIN IEC 112 / VDE0303漏电起痕指数，第1部分.................. 175
绝缘电阻
V
IO
=500 V,
T
A
=25
°
C...............................................................................10
12
Ω
V
IO
=500 V,
T
A
=100
°
C............................................................................ 10
11
Ω
存储温度................................................ ................ -55
°
C至+150
°
C
工作温度................................................ ............ -55
°
C至+100
°
C
结温................................................ ................................ 100
°
C
焊接温度（最大10秒，浸焊：
距离飞机座位
≥
1.5 mm) ...................................................... 260
°
C
4N25/26/27/28—Characteristics
T
A
=25
°
C
辐射源
正向电压*
反向电流*
电容
探测器
击穿电压*
集电极 - 发射极
发射极 - 集电极
集电极 - 基
BV
首席执行官
BV
ECO
BV
CBO
—
—
30
7.0
70
—
—
—
—
—
—
5.0
10
2.0
6.0
—
—
—
50
100
20
—
nA
nA
pF
V
符号
分钟。
—
—
—
典型值。
1.3
0.1
25
马克斯。
1.5
100
—
单位
V
条件
V
F
I
R
C
O
I
F
-50毫安
V
R
=3.0 V
V
R
=0
µ
A
pF
I
C
= 1.0毫安
I
E
=100
µ
A
I
C
=100
µ
A
V
CE
= 10 V ， （基地开）
V
CB
= 10 V ， （发射极开路）
V
CE
=0
I
首席执行官
（深） *
I
CBO
（深） *
电容，集电极 - 发射极
包
直流电流传输比*
4N25/26/27
4N28
C
CE
4N25/26
4N27/28
CTR
20
10
50
30
—
—
—
—
—
0.5
2.0
—
—
—
—
—
0.5
—
—
—
%
V
CE
=10 V,
I
F
= 10毫安
隔离电压*
4N25
4N26/27
4N28
V
IO
2500
1500
500
V
高峰， 60赫兹
饱和电压，集电极 - 发射极
电阻，输入到输出*
耦合电容
上升和下降时间
*表示JEDEC注册的价值观
文档编号： 83717
修订版17月-01
V
CE （ SAT ）
R
IO
C
IO
t
r
,
t
f
—
100
—
—
V
G
Ω
pF
I
CE
= 2.0毫安，
I
F
-50毫安
V
IO
=500 V
F = 1.0 MHz的
µ
s
I
F
= 10毫安
V
CE
=10 V,
R
L
=100
Ω
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