DG211B ， DG212B
Vishay Siliconix公司
特定网络阳离子
（单电源）
测试条件
除非另有说明
V+ = 12 V, V- = 0 V
V
L
= 5 V, V
IN
= 2.4 V, 0.8 V
e
ð后缀
- 40 ° C至85°C
温度。
a
满
房间
满
房间
房间
房间
房间
满
房间
满
房间
满
满
4
10
50
- 10
- 50
10
50
+ 4.5
+ 25
V
µA
分钟。
b
0
90
典型值。
c
马克斯。
b
12
160
200
300
200
单位
V
参数
模拟开关
模拟信号范围
d
漏源
导通电阻
动态特性
开启时间
打开-O FF时间
电荷注入
电源
正电源电流
负电源电流
逻辑电源电流
电源电压范围为
连续运行
符号
V
类似物
R
DS （ ON）
t
ON
t
关闭
Q
V
D
= 3 V ， 8 V，I
S
= 1毫安
V
S
= 8 V
见图1
C
L
= 1 nF的，V
根
= 6 V ，R
根
= 0
ns
pC
I+
V
IN
= 0或5伏
I-
I
L
V
OP
注意事项：
一。房间= 25 ° C，完全=由操作温度决定的后缀。
B 。代数公约由此最负的值是最小值和最积极的最大值，用于该数据片。
Ç 。典型值是用于辅助设计参考，不保证也不提供生产测试。
ð 。通过设计保证，不受生产测试。
Ë 。 V
IN
=输入电压来执行适当的功能。
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数，功能和操作
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大
额定条件下长时间工作会影响器件的可靠性。
典型特征
(T
A
= 25 ℃，除非另有说明）
110
R
DS （ ON）
- 漏源导通电阻（ Ω ）
R
DS （ ON）
- 漏源导通电阻（ Ω ）
100
90
±5V
80
70
60
50
40
30
20
10
- 20 - 16 - 12
-8
-4
0
4
8
12
16
20
V
D
- 漏极电压（ V）
± 20 V
± 10 V
± 15 V
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
- 15
125 °C
85 °C
25 °C
- 55 °C
V+ = 15 V
V- = - 15 V
- 10
-5
0
5
10
15
V
D
- 漏极电压（ V）
R
DS （ ON）
与V
D
与电源电压
R
DS （ ON）
与V
D
和温度
www.vishay.com
4
文档编号： 70040
S11-0179 -REV 。 Ĵ ， 07 -FEB- 11
VISHAY [ VISHAY TELEFUNKEN ]
