DG211B/212B
Vishay Siliconix公司
规格单电源供电
测试条件
除非另有说明
参数
模拟开关
模拟信号范围
d
漏源导通电阻
V
类似物
r
DS （ ON）
V
D
= 3 V ， 8 V，I
S
= 1毫安
满
房间
满
0
90
12
160
200
V
W
ð后缀
-40到85°C
符号
V+ = 12 V, V– = 0 V
V
L
= 5 V, V
IN
= 2.4 V, 0.8 V
e
温度
a
民
b
典型值
c
最大
b
单位
动态特性
开启时间
打开-O FF时间
电荷注入
t
ON
t
关闭
Q
V
S
= 8 V
见图2
S网络
C
L
= 1 nF的，V
根
= 6 V ，R
根
= 0
W
房间
房间
房间
4
300
ns
200
pC
电源
正电源电流
负电源电流
逻辑电源电流
电源电压范围为
连续运行
I+
V
IN
= 0或5伏
I–
I
L
V
OP
房间
满
房间
满
房间
满
满
)4.5
–10
–50
10
50
)25
V
10
50
mA
A
注意事项：
一。房间= 25_C ，全部=由操作温度决定的后缀。
B 。代数公约由此最负的值是最小值和最积极的最大值，用于该数据片。
Ç 。典型值是用于辅助设计参考，不保证也不提供生产测试。
ð 。通过设计保证，不受生产测试。
Ë 。 V
IN
=输入电压来执行适当的功能。
典型特征（ 25_C除非另有说明）
r
DS （ ON）
与V
D
与电源电压
110
R DS（ON ）漏源导通电阻（
W
)
–
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
–20 –16 –12
–8
–4
0
4
8
12
16
20
V
D
- 漏极电压（ V）
"20
V
"10
V
"15
V
"5
V
R DS（ON ）漏源导通电阻（
W
)
–
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
–15
125_C
85_C
25_C
–55_C
V+ = 15 V
V– = –15 V
r
DS （ ON）
与V
D
和温度
–10
–5
0
5
10
15
V
D
- 漏极电压（ V）
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S
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4-4
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