DG444 ， DG445
Vishay Siliconix公司
绝对最大额定值
(T
A
= 25 ℃，除非另有说明）
参数
V +至V-
GND到V-
V
L
数字输入
a
, V
S
, V
D
连续电流（任何终端）
当前，S或D（脉冲在1毫秒， 10 ％占空比）
储存温度
功率耗散（包）
b
极限
44
25
（GND - 0.3 ）至（V +） + 0.3
（ V - ） - 2 （V + ）+ 2个
或30毫安，以先到者为准
30
100
- 65〜 125
16引脚塑料DIP
c
16引脚窄体SOIC
d
450
640
单位
V
mA
°C
mW
注意事项：
一。在S信号
X
, D
X
或IN
X
超过V +或V-由内部二极管钳位。限正向二极管电流最大额定电流。
B 。所有引线焊接，或焊接到印刷电路板。
Ç 。减免6毫瓦/°C， 75°C以上。
ð 。减免8毫瓦/°C， 75°C以上。
特定网络阳离子
双电源
测试条件
除非另有说明
V+ = 15 V, V- = - 15 V
参数
模拟开关
模拟信号范围
d
漏源
导通电阻
关机漏电流
I
D（关闭）
通道泄漏电流
数字控制
输入电流V
IN
低
输入电流V
IN
高
动态特性
开启时间
打开-O FF时间
电荷注入
e
关断隔离
e
串扰（通道 - 通道）
d
源关断电容
流掉电容
通道导通电容
t
ON
t
关闭
Q
OIRR
X
TALK
C
S（ OFF）
C
D（关闭）
C
D（上）
R
L
= 1千欧，C
L
= 35 pF的
V
S
= ± 10 V ，见图2
C
L
= 1 nF的，V
S
= 0 V
V
根
= 0 V ，R
根
= 0
R
L
= 50
, C
L
= 5 PF， F = 1兆赫
F = 1 MHz的
V
类似物
= 0 V
房间
DG444
DG445
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
120
110
160
-1
60
100
4
4
16
250
140
210
pC
dB
pF
ns
I
IL
I
IH
V
IN
根据测试= 0.8 V
所有其他= 2.4 V
V
IN
根据测试= 2.4 V
所有其他= 0.8 V
满
满
- 500
- 500
- 0.01
0.01
500
nA
500
I
D（上）
符号
V
类似物
R
DS （ ON）
I
S（ OFF）
I
S
= - 10毫安，V
D
= ± 8.5 V
V+ = 13.5 V V- = - 13.5 V
V+ = 16.5, V- = - 16.5 V
V
D
= ± 15.5 V, V
S
= ± 15.5 V
V+ = 16.5 V, V- = - 16.5 V
V
S
= V
D
= ± 15.5 V
V
L
= 5 V, V
IN
= 2.4 V, 0.8 V
e
温度。
a
满
房间
满
房间
满
房间
满
房间
满
ð后缀
- 40 ° C° C至85°C
分钟。
b
- 15
50
- 0.5
-5
- 0.5
-5
- 0.5
- 10
± 0.01
± 0.01
± 0.08
典型值。
c
马克斯。
b
15
85
100
0.5
5
0.5
5
0.5
10
单位
V
nA
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2
文档编号： 70054
S11-0984 -REV 。 G， 23日， 11
本文如有更改，恕不另行通知。
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