DG534A/538A
Vishay Siliconix公司
特定网络阳离子
a
测试条件
除非另有说明
参数
符号
V+ = 15 V, V– = –3 V, V
L
= 5 V
WR = 0.8 V， RS ， EN = 2 V
后缀
-55到125°C
ð后缀
-40到85°C
温度
b
典型值
c
民
d
最大
d
民
d
最大
d
单位
动态特性（续）
芯片残疾人串扰
f
X
TALK （ CD）
R
L
= 75
W ,
F = 5兆赫
EN = 0.8 V
参见图8
R
IN
= 10
W
R
L
= 10千瓦
F = 5兆赫
参阅图9
R
IN
= 75
W
, R
L
= 75
W
F = 5兆赫
参见图7
R
IN
= 10
W
R
L
= 10千瓦
F = 5兆赫
参见图7
R
IN
= 75
W
, R
L
= 75
W
F = 5兆赫
参见图7
PLCC
DIP
PLCC
DIP
PLCC
DIP
PLCC
DIP
PLCC
DIP
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
–75
–65
–97
–87
–80
–70
–77
–72
–77
–72
–84
–84
500
兆赫
dB
相邻输入串音
f
X
TALK （ AI）
一切敌对串音
X
TALK （ AH ）
R
IN
= 10
W
, R
L
= 10千瓦
F = 5兆赫，见图10
差分串扰
X
TALK （ DIFF ）
R
IN
= R
L
= 75
W
F = 5兆赫，见图10
R
L
= 50
W
，参见图6
带宽
BW
电源
正电源电流
负电源电流
功能检查
最大工作
电源电压范围
逻辑电源电流
I+
I–
V +至V-
V-至GND
V +至GND
I
L
功能测试只
任何一个通道与AD-选择
礼服输入在GND或5 V
房间
满
房间
满
满
满
满
满
150
0.6
0.6
–1.8
–2
10
–5.5
10
21
0
21
500
2
5
–1.8
–2
10
–5.5
10
21
0
21
500
mA
V
2
5
mA
定时
复位写
WR ， RS
最小脉冲宽度
A
0
, A
1
， EN
数据有效选通
A
0
, A
1
， EN
数据选通后有效
地址总线三态
e
地址总线输出
地址总线输入
t
RW
t
MPW
t
DW
见图1
t
WD
t
AZ
t
AO
t
AI
房间
满
房间
满
房间
满
房间
满
房间
房间
房间
–22
50
60
200
20
100
–20
50
25
95
110
50
100
ns
200
50
注意事项：
一。请参阅过程的期权流程图。
B 。房间= 25_C ，全部=由操作温度决定的后缀。
Ç 。典型值是用于辅助设计参考，不保证也不提供生产测试。
ð 。代数公约由此最负的值是最小值和最积极的最大值，用于该数据片。
Ë 。通过系统总线的要求确定。
f.
表现为GND每个独立的管脚必须接地。
克。通过设计保证，不受生产测试。
文档编号： 70069
S- 05734 -REV 。 G， 29 -JAN- 02
www.vishay.com
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VISHAY [ VISHAY TELEFUNKEN ]
