H11B1/H11B2/H11B3
威世半导体
光电耦合器，光电复合输出，
高增益，与基地连接
绝对最大额定值
参数
耦合器
绝缘测试电压
爬电距离
净空
每漏电起痕指数
DIN IEC 112 / VDE 0303 ，第1部分
绝缘电阻
总包损耗（ LED加检测器）
从25° C减免线性
储存温度
工作温度
铅焊接时间在260℃
T
英镑
T
AMB
V
IO
= 500 V ，T
AMB
= 25 °C
V
IO
= 500 V ，T
AMB
= 100 °C
CTI
R
IO
R
IO
P
合计
≥
发射器和检测器之间，
是指非标准气候
23 ℃/ 50 ％RH下，DIN 50014
V
ISO
5300
≥
7
≥
7
175
≥
10
12
10
11
260
3.5
- 55至+ 150
- 55至+ 100
10
Ω
Ω
mW
毫瓦/°C的
°C
°C
s
V
RMS
mm
mm
测试条件
符号
价值
单位
记
T
AMB
= 25℃，除非另有规定。
超过绝对最大额定值的应力可能会导致永久性损坏设备。该设备的功能操作不暗示
在超过那些在本文档的业务部门给出的这些或任何其他条件。置身于绝对最大额定值
的长时间可不利地影响可靠性。
电气特性的影响
参数
输入
正向电压
反向电流
结电容
产量
集电极发射极击穿电压
集电极发射极击穿电压
集电极基极击穿电压
集电极 - 发射极漏电流
耦合器
饱和电压集电极 - 发射极
电容（输入输出）
I
C
= 1毫安，我
C
= 1毫安
V
CESAT
C
IO
0.5
1.0
V
pF
I
C
= 1毫安，我
F
= 0毫安
I
E
= 100μA ，我
F
= 0毫安
I
C
= 100 μA ，我
F
= 0毫安
V
CE
= 10 V，I
F
= 0毫安
BV
首席执行官
BV
ECO
BV
CBO
I
首席执行官
30
7.0
30
100
V
V
V
nA
I
F
= 50毫安
I
F
= 10毫安
V
R
= 3 V
V
F
= 0 V ， F = 1兆赫
H11B1
H11B2
H11B3
V
F
V
F
V
F
I
R
C
j
50
1.1
1.1
1.1
1.5
1.5
1.5
10
V
V
V
µA
pF
测试条件
部分
符号
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
记
T
AMB
= 25℃，除非另有规定。
最小和最大值被测试requierements 。典型的值是该设备的特征和是工程的结果
评估。典型值仅作为信息，不属于测试要求的一部分。
电流传输比
参数
直流电流传输比
测试条件
V
CE
= 5 V，I
F
= 1毫安
部分
H11B1
H11B2
H11B3
符号
CTR
DC
CTR
DC
CTR
DC
分钟。
500
200
100
典型值。
马克斯。
单位
%
%
%
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284
如有技术问题，请联系： optocoupler.answers@vishay.com
文档编号： 83609
修订版1.5 ， 08 08年5月
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