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H11B2 参数 Datasheet PDF下载

H11B2图片预览
型号: H11B2
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内容描述: 光电耦合器,光电复合输出,高增益,与基地连接 [Optocoupler, Photodarlington Output, High Gain, With Base Connection]
分类和应用: 光电输出元件
文件页数/大小: 7 页 / 118 K
品牌: VISHAY [ VISHAY TELEFUNKEN ]
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H11B1 / H11B2 / H11B3
威世半导体
光电耦合器,光电复合输出,高增益,随着基地
连接
特点
绝缘测试电压, 5300 V
RMS
耦合电容为0.5pF
无铅组件
按照RoHS 2002/95 / EC成分
和WEEE 2002/96 / EC
A
C
NC
1
2
3
6 B
5 C
4 E
机构认证
• UL1577 ,文件号E52744系统代码为J
i179005
e3
Pb
无铅
• DIN EN 60747-5-2 ( VDE0884 )
DIN EN 60747-5-5待定
可通过选项1
订购信息
部分
H11B1
H11B2
H11B3
H11B1-X007
H11B1-X009
H11B2-X009
备注
CTR > 500 % , DIP - 6
CTR > 200 % , DIP - 6
CTR > 100 % , DIP - 6
CTR > 500 % , SMD - 6 (选项7 )
CTR > 500 % , SMD - 6 (选件9 )
CTR > 200 % , SMD - 6 (选件9 )
描述
该H11B1 / H11B2 / H11B3是行业标准
光电耦合器,由砷化镓的基础设施
红色LED和硅光电复合。
有关可用选项的更多信息,请参阅
选项信息。
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃,除非另有说明
超过绝对最大额定值的应力可能会导致器件的永久性损坏。该设备的功能操作
在超过本文档中的业务部门给这些或任何其他条件不暗示。暴露在绝对
最大额定的时间产生不利影响可靠性长时间。
输入
参数
反向电压
正向连续电流
功耗
从25° C减免线性
测试条件
符号
V
R
I
F
P
DISS
价值
3.0
60
100
1.33
单位
V
mA
mW
毫瓦/°C的
产量
参数
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 集电极击穿电压
集电极 - 基极击穿电压
测试条件
符号
BV
首席执行官
BV
ECO
BV
CBO
价值
25
7.0
30
单位
V
V
V
文档编号83609
修订版1.5 , 10月26日04
www.vishay.com
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