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H11D2 参数 Datasheet PDF下载

H11D2图片预览
型号: H11D2
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内容描述: 光电耦合器,光电晶体管输出,带底座的连接,高电压BVCER [Optocoupler, Phototransistor Output, With Base Connection, High BVCER Voltage]
分类和应用: 晶体光电晶体管光电晶体管输出元件
文件页数/大小: 8 页 / 120 K
品牌: VISHAY [ VISHAY TELEFUNKEN ]
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H11D1/H11D2/H11D3/H11D4
威世半导体
光电耦合器,光电晶体管输出,
与基地连接,高BV
CER
电压
绝对最大额定值
参数
输入
反向电压
直流正向电流
正向电流浪涌
功耗
产量
H11D1
集电极 - 发射极电压
H11D2
H11D3
H11D4
H11D1
集电极 - 基极电压
H11D2
H11D3
H11D4
发射极电压
集电极电流
功耗
耦合器
绝缘测试电压
发射极之间的绝缘厚度
和检测器
爬电距离
间隙距离
漏电起痕指数
绝缘电阻
存储温度范围
工作温度范围
结温
焊接温度
最大。 10秒,浸焊:距离
以飞机座位
1.5 mm
符合DIN IEC 112 / VDE 0303 ,第1部分
V
IO
= 500 V ,T
AMB
= 25 °C
V
IO
= 500 V ,T
AMB
= 100 °C
R
IO
R
IO
T
英镑
T
AMB
T
j
T
SLD
发射器和检测器之间,
指气候DIN 50014第2部分,
十一月74
V
ISO
5300
0.4
7
7
175
10
12
10
11
- 55至+ 150
- 55至+ 100
100
260
Ω
Ω
°C
°C
°C
°C
V
RMS
mm
mm
mm
V
CE
V
CE
V
CE
V
CE
V
CBO
V
CBO
V
CBO
V
CBO
V
BEO
I
C
P
DISS
300
300
200
200
300
300
200
200
7
100
300
V
V
V
V
V
V
V
V
V
mA
mW
t
10 µs
V
R
I
F
I
FSM
P
DISS
6
60
2.5
100
V
mA
A
mW
测试条件
部分
符号
价值
单位
T
AMB
= 25℃,除非另有规定。
超过绝对最大额定值的应力可能会导致永久性损坏设备。该设备的功能操作不
隐含在超过那些在本文档的业务部门给出的这些或任何其他条件。暴露在绝对最大
评级的长时间可不利地影响可靠性。
www.vishay.com
2
如有技术问题,请联系: optocouplers.answers@vishay.com
文档编号: 83611
修订版1.5 , 19 -NOV- 07