IL410 / IL4108
威世半导体
光电耦合器，光敏可控硅输出，零交叉，高dv / dt ，低
输入电流
特点
高输入灵敏度
I
FT
= 2.0毫安， PF = 1.0
I
FT
= 5.0毫安， PF
≤
1.0
300毫安通态电流
零电压过零检测器
600/800 V阻断电压
高静的dV / dt 10 KV / μs的
反并联可控硅整流提供
的dV / dt >10千伏/μs的
•极低的泄漏< 10
µA
•
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•
•
隔离测试电压5300 V
RMS
小型6引脚DIP封装
无铅组件
按照RoHS 2002/95 / EC成分
和WEEE 2002/96 / EC
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A 1
C 2
NC 3
ZCC *
6 MT2
5 NC
4 MT1
*零交叉电路
i179030
机构认证
• UL1577 ，文件号E52744系统代码H或按J ，
双重保护
• CSA 93751
• BSI IEC60950 IEC60065
• DIN EN 60747-5-2 （ VDE0884 ）
DIN EN 60747-5-5待定
可通过选项1
• FIMKO
应用
固态继电器
工业控制
Ø FFI CE设备
消费类电子产品。
描述
该IL410 / IL4108由砷化镓IRLED光学
耦合到光敏过零TRIAC网络
工作。双向晶闸管由两个反向并联CON-
整体连接的可控硅。这三个半
导体被组装在一个6脚双列直插式
封装。
高输入灵敏度是通过使用发射器来实现
跟随光电晶体管和可控硅串联预
司机造成更少的LED触发电流比
2.0毫安（ DC） 。
该IL410 / IL4108使用导致两个分立的SCR
在一个换向的dV / dt大于10千伏/微秒。该
利用一个专有的dV / dt钳的结果在一个静态的dV /
dt的大于10千伏/微秒。这个钳位电路有一个
MOSFET是增强时，高dV / dt峰值
MT1和TRIAC的MT2之间发生。当
导通时，场效应管夹紧光子的基
totransistor ，禁用网络连接的第一个阶段SCR预驱动器。
过零线电压检测电路由
的两个增强的MOSFET和一个光电二极管。
网络的禁止电压是由确定的
N型沟道FET的增强电压。该P-
沟道FET是由光电流源启用了
允许在FET进行主电压到栅
在N型沟道FET 。一旦主电压
使N型沟道，它夹住光子的基
totransistor ，禁用网络连接的第一个阶段SCR预驱动器。
在600/800 V阻断电压允许场外的控制
线电压高达240伏交流电，具有安全系数
两个以上的，并且是足够之多
380 VAC 。
该IL410 / IL4108隔离低压逻辑
120 ， 240和380伏交流线来控制电阻，
感性或容性负载，包括电机，电磁铁
noids ，高电流晶闸管或晶闸管和继电器。
文档编号83627
修订版1.4 ， 26 -APR- 04
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