IL410/IL4108
威世半导体
光电耦合器，光敏可控硅输出，零交叉，
高dv / dt ，低输入电流
特点
•高输入灵敏度
A 1
C 2
NC
3
ZCC *
6 MT2
5
NC
4 MT1
• I
FT
= 2.0毫安， PF = 1.0
• I
FT
= 5.0毫安， PF
≤
1.0
• 300毫安通态电流
•零电压穿越检测
• 600/800 V阻断电压
•高静的dV / dt 10 KV / μs的
•反并联可控硅整流提供
的dV / dt >10千伏/μs的
•极低的泄漏< 10
μA
•隔离测试电压5300 V
RMS
•小型6引脚DIP封装
•铅（Pb） -free组件
•按照RoHS元器件2002/95 / EC和
WEEE 2002/96 / EC
*零交叉电路
i179030
描述
该IL410 / IL4108由砷化镓IRLED光学
耦合到光敏过零TRIAC网络。
双向晶闸管由两个反向并联连接的
单片可控硅。这三个半导体是
组装在一个6脚双列直插式封装。
高输入灵敏度是通过使用一个发射极跟随器来实现
光电晶体管和可控硅串联前置驱动器产生
小于2.0毫安（DC）的LED触发电流。
该IL410 / IL4108使用造成了两个分立的SCR
换向dv / dt的大于10千伏/毫秒。使用一
专有的dV / dt钳导致更大的静态的dV / dt
大于10千伏/毫秒。该钳位电路具有MOSFET是
当高dV / dt峰值MT1之间出现增强
MT2的TRIAC的。导通时，场效应管夹紧
基光电晶体管，禁止第一阶段的SCR
预驱动器。
零交叉线的电压检测电路包括两个
增强的MOSFET和一个光电二极管。该禁止
网络的电压被提高测定
电压的N沟道FET的。该P沟道场效应晶体管启用
由光电流源，其允许在FET来进行
主电压到栅极上的N型沟道FET 。一旦主
电压可以使N型沟道，它夹紧的基部
光电晶体管，禁止第一阶段可控硅预驱动器。
在600/800 V阻断电压允许脱机控制
电压高达240伏交流电，与更多的安全系数比
2 ，并足以用于高达380伏。
该IL410 / IL4108隔离120 ， 240低电压逻辑，
和380伏交流线来控制电阻性，电感性，或
容性负载包括电机，螺线管，高电流
晶闸管或晶闸管和继电器。
应用
•固态继电器
¥工业控制
•办公设备
•家电产品
机构认证
• UL1577 ，文件号。 E52744系统代号H或按J ，双
保护
• CSA 93751
• FIMKO和BSI IEC 60950 ; IEC 60065只为IL4108
• DIN EN 60747-5-2 （ VDE 0884 ） / DIN EN 60747-5-5待定
可通过选项1
订购信息
部分
IL410
IL4108
IL410-X006
IL410-X007
IL410-X009
备注
600 V V
DRM
， DIP - 6
800 V V
DRM
， DIP - 6
600 V V
DRM
， DIP - 6 400万（选项6 ）
600 V V
DRM
， SMD - 6 （选项7 ）
600 V V
DRM
， SMD - 6 （选件9 ）
文档编号： 83627
修订版1.6 ， 09 -JAN- 08
如有技术问题，请联系： optocoupler.answers@vishay.com
www.vishay.com
1
VISHAY [ VISHAY TELEFUNKEN ]
