ILD207T 参数 Datasheet PDF下载

型号：	ILD207T
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内容描述：	光电耦合器，光电晶体管输出，双通道， SOIC- 8封装 [Optocoupler, Phototransistor Output, Dual Channel, SOIC-8 package]
分类和应用：	晶体光电晶体管光电晶体管输出元件
文件页数/大小：	7 页 / 377 K
品牌：	VISHAY [ VISHAY TELEFUNKEN ]

ILD205T / 206T / 207T / 211T / 213T / 217T

威世半导体

绝对最大额定值

AMB

= 25℃，除非另有说明

超过绝对最大额定值的应力可能会导致器件的永久性损坏。该设备的功能操作

在超过本文档中的业务部门给这些或任何其他条件不暗示。暴露在绝对

最大额定的时间产生不利影响可靠性长时间。

输入

参数

峰值反向电压

峰值脉冲电流

连续正向电流每

通道

功耗

从25° C减免线性

DISS

1.0

µs,

300 PPS

测试条件

符号

价值

6.0

1.0

0.66

单位

毫瓦/°C的

产量

参数

集电极 - 发射极击穿电压

发射极 - 集电极击穿电压

每通道功耗

从25° C减免线性

测试条件

符号

首席执行官

ECO

DISS

价值

7.0

125

1.67

单位

毫瓦/°C的

耦合器

参数

总包耗散

环境（ 2个LED + 2探测器，

2个通道）

从25° C减免线性

储存温度

工作温度

从260℃焊接时间

英镑

AMB

SLD

测试条件

符号

合计

价值

300

单位

4.0

- 55至+ 150

- 55至+ 100

毫瓦/°C的

°C

美国证券交易委员会。

电气特性

AMB

= 25℃，除非另有说明

最小值和最大值的测试要求。典型的值是该设备的特征和是工程的结果

评价。典型值仅作为信息，不属于测试要求的一部分。

输入

参数

正向电压

反向电流

电容

测试条件

= 10毫安

= 6.0 V

= 0

符号

民

典型值。

1.2

0.1

最大

1.55

100

单位

µA

www.vishay.com

文档编号83647

修订版1.4 ， 10月26日04

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