IRF840A 参数 Datasheet PDF下载

型号：	IRF840A
PDF下载：	下载PDF文件查看货源
内容描述：	功率MOSFET [Power MOSFET]
分类和应用：	晶体晶体管局域网
文件页数/大小：	8 页 / 138 K
品牌：	VISHAY [ VISHAY TELEFUNKEN ]

IRF840A ， SiHF840A

Vishay Siliconix公司

功率MOSFET

产品概述

(V)

DS （ ON）

(Ω)

（最大值）（ NC ）

（ NC ）

CON组fi guration

= 10 V

9.0

单身

特点

500

0.85

•低栅极电荷Q

结果简单驱动

可用的

需求

•改进的门，雪崩和动态dv / dt的

RoHS指令*

柔顺

耐用性

•充分界定电容和雪崩电压

和电流

•有效的C

OSS

特定网络版

•铅（Pb），免费提供

TO-220

应用

•开关模式电源（SMPS ）

•不间断电源

•高速电源开关

N沟道

MOSFET

典型SMPS拓扑

•双管正激

•半桥

=全桥

订购信息

包

铅（Pb ） - 免费

SNPB

TO-220

IRF840APbF

SiHF840A-E3

IRF840A

SiHF840A

绝对最大额定值

= 25 ℃，除非另有说明

参数

漏源电压

栅源电压

连续漏电流

漏电流脉冲

线性降额因子

单脉冲雪崩能量

重复性雪崩

当前

= 25 °C

重复性雪崩能量

最大功率耗散

峰值二极管恢复的dv / dt

工作结存储温度范围

焊接建议（峰值温度）

安装力矩

10秒

6-32或M3螺丝

dv / dt的

, T

英镑

在10 V

= 25 °C

= 100 °C

符号

极限

500

± 30

8.0

5.1

1.0

510

8.0

125

5.0

- 55至+ 150

300

1.1

W / ℃，

V / ns的

°C

磅力·中

N·m的

单位

笔记

一。重复评价;脉冲宽度有限的最大结点温度（参见图11）。

B 。 V

= 50 V ，起始物为

= 25 ° C，L = 16 mH的，R

= 25

Ω,

= 8.0 A（见图12 ）。

C.我

≤

8.0 A ， di / dt的

≤

100 A / μs的，V

≤

, T

≤

150 °C.

ð 。 1.6毫米的情况。

*含有铅端子不符合RoHS要求，可申请豁免

文档编号： 91065

S- 81275 -REV 。 A， 16军08

www.vishay.com

IC37:专业IC行业平台

专业IC领域供求交易平台:提供全面的IC Datasheet资料和资讯，Datasheet 1000万数据，IC品牌1000多家。

网站导航 Datasheet资料库电子术语电子百科

服务中心 常见问题委托交易会员服务

关于我们 公司简介联系我们免责申明

产品索引：A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

深圳网络警察报警平台公共信息安全网络监察经营性网站备案信息不良信息举报中心工商网监电子标识全国公安机关备案