IRF9620 参数 Datasheet PDF下载

型号：	IRF9620
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内容描述：	功率MOSFET [Power MOSFET]
分类和应用：	晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
文件页数/大小：	7 页 / 1926 K
品牌：	VISHAY [ VISHAY TELEFUNKEN ]

IRF9620 ， SiHF9620

Vishay Siliconix公司

功率MOSFET

产品概述

(V)

DS （ ON）

(Ω)

（最大值）（ NC ）

（ NC ）

CON组fi guration

= - 10 V

单身

特点

- 200

1.5

•动态的dv / dt额定值

• P沟道

•快速开关

•易于并联的

•简单的驱动要求

•铅（Pb），免费提供

可用的

RoHS指令*

柔顺

TO-220

描述

Vishay的第三代功率MOSFET提供

设计师与快速切换的最佳组合，

加固装置的设计，低导通电阻和

成本效益。

在TO- 220封装普遍首选的所有

商业工业应用的功率耗散

水平，以约50瓦的低热阻

和TO- 220封装低的成本导致其广泛

接受整个行业。

P沟道MOSFET

订购信息

包

铅（Pb ） - 免费

SNPB

TO-220

IRF9620PbF

SiHF9620-E3

IRF9620

SiHF9620

绝对最大额定值

= 25 ℃，除非另有说明

参数

漏源电压

栅源电压

连续漏电流

漏电流脉冲

线性降额因子

最大功率耗散

峰值二极管恢复的dv / dt

工作结存储温度范围

焊接建议（峰值温度）

安装力矩

10秒

6-32或M3螺丝

= 25 °C

dv / dt的

, T

英镑

在 - 10 V

= 25 °C

= 100 °C

符号

极限

- 200

± 20

- 3.5

- 2.0

- 14

0.32

- 5.0

- 55至+ 150

300

1.1

W / ℃，

V / ns的

°C

磅力·中

N·m的

单位

笔记

一。重复评价;脉冲宽度有限的最大结点温度（参见图11）。

B 。我

≤

- 3.5 A ， di / dt的

≤

95 A / μs的，V

≤

, T

≤

150 °C.

Ç 。 1.6毫米的情况。

*含有铅端子不符合RoHS要求，可申请豁免

文档编号： 91082

S- 81272 -REV 。 A， 16军08

www.vishay.com

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