IRFD020 参数 Datasheet PDF下载

型号：	IRFD020
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内容描述：	功率MOSFET [Power MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	8 页 / 222 K
品牌：	VISHAY [ VISHAY TELEFUNKEN ]

IRFD020 ， SiHFD020

Vishay Siliconix公司

功率MOSFET

产品概述

(V)

DS （ ON）

()

（最大值）（ NC ）

（ NC ）

CON组fi guration

= 10 V

7.1

单身

特点

0.10

•自动插入

•紧凑型，可堆叠结束

•快速开关

•易于并联的

•出色的温度稳定性

•符合RoHS指令2002/95 / EC

可用的

RoHS指令*

柔顺

HVMDIP

描述

该HVMDIP技术的关键是Vishay的先进

线路功率MOSFET晶体管。高效几何

和的HVMDIP设计独特的加工实现

非常低的导通电阻相结合的高

跨导和极端设备的耐用性。

HVMDIPs配备了所有的既定优势

MOSFET的诸如电压控制，非常快速的切换，方便

并联的电的，和温度稳定性的

参数。

该HVMDIP 4针，双列直插式封装带来的

HVMDIPs的优势，以大批量应用

自动PC板的插入是合乎要求，如电路

板电脑，打印机，通讯

设备和消费产品。他们与兼容性

自动插入设备，低调和结束

可堆叠的功能代表了STAT-的最先进的动力

器件封装。

N沟道MOSFET

订购信息

包

铅（Pb ） - 免费

SNPB

HVMDIP

IRFD020PbF

SiHFD020-E3

IRFD020

SiHFD020

绝对最大额定值

= 25 ℃，除非另有说明）

参数

漏源电压

栅源电压

连续漏电流

漏电流脉冲

线性降额因子

感应电流，钳位

非钳位电感电流（雪崩

最大功率耗散

电流）

= 25 °C

10秒

L = 100 μH

, T

英镑

在10 V

= 25 °C

= 100 °C

符号

极限

± 20

2.4

1.5

0.0080

2.2

1.0

- 55至+ 150

300

W / ℃，

°C

单位

工作结存储温度范围

焊接建议（峰值温度）

笔记

一。牛逼

= 25 ℃至150 ℃的

B 。重复评价;脉冲宽度有限的最高结温。

Ç 。 V

= 25 V ，起始物为

= 25℃时，L = 100微亨，R

= 25



ð 。 1.6毫米的情况。

*含有铅端子不符合RoHS要求，可申请豁免

文档编号： 91465

S11-0915 -REV 。 A， 16日， 11

www.vishay.com

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