IRFD9120 , SiHFD9120
Vishay Siliconix公司
功率MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
R
DS ( ON)
(Ω)
Q
g
(最大值) ( NC )
Q
gs
( NC )
Q
gd
( NC )
CON组fi guration
- 100
V
GS
= - 10 V
18
3.0
9.0
单身
S
特点
•动态的dv / dt额定值
0.60
•额定重复性雪崩
•自动插入
•可堆叠结束
• P沟道
• 175 ° C的工作温度
•快速开关
•铅(Pb) ,免费提供
可用的
RoHS指令*
柔顺
HEXDIP
G
描述
Vishay的第三代功率MOSFET提供
设计师与快速切换的最佳组合,
加固装置的设计,低导通电阻和
成本效益。
4引脚DIP封装是一种低成本的机器insertiable
可堆叠的多个组合的情况下,样式
标准0.1"销中心。双重排液作为热
连接到安装表面,用于功率耗散水平达
1 W.
S
D
G
D
P沟道MOSFET
订购信息
包
铅(Pb ) - 免费
SNPB
HEXDIP
IRFD9120PbF
SiHFD9120-E3
IRFD9120
SiHFD9120
绝对最大额定值
T
C
= 25 ℃,除非另有说明
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
漏电流脉冲
a
线性降额因子
单脉冲雪崩能量
b
重复性雪崩
当前
a
T
C
= 25 °C
重复性雪崩能量
a
最大功率耗散
峰值二极管恢复的dv / dt
c
工作结存储温度范围
焊接建议(峰值温度)
10秒
笔记
一。重复评价;脉冲宽度有限的最大结点温度(参见图11)。
B 。 V
DD
= 25 V ,起始物为
J
= 25 ° C,L = 52 mH的,R
G
= 25
Ω,
I
AS
= - 2.0 A(见图12 )。
C.我
SD
≤
- 6.8 A, di / dt的
≤
110 A / μs的,V
DD
≤
V
DS
, T
J
≤
175 °C.
ð 。 1.6毫米的情况。
*含有铅端子不符合RoHS要求,可申请豁免
文档编号: 91139
S- 81273 -REV 。 A, 16军08
www.vishay.com
1
E
AS
I
AR
E
AR
P
D
dv / dt的
T
J
, T
英镑
V
GS
在 - 10 V
T
C
= 25 °C
T
C
= 100 °C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
极限
- 100
± 20
- 1.0
- 0.70
- 8.0
0.0083
140
- 1.0
0.13
1.3
- 5.5
- 55〜 + 175
300
d
W / ℃,
mJ
A
mJ
W
V / ns的
°C
A
单位
V