IRFL014 ， SiHFL014
Vishay Siliconix公司
功率MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
R
DS （ ON）
(Ω)
Q
g
（最大值） （ NC ）
Q
gs
（ NC ）
Q
gd
（ NC ）
CON组fi guration
V
GS
= 10 V
11
3.1
5.8
单身
D
特点
60
0.20
•
无卤符合IEC 61249-2-21
德网络nition
=表面贴装
•可用磁带和卷轴
•动态的dv / dt额定值
•快速开关
•易于并联的
•简单的驱动要求
•符合RoHS指令2002/95 / EC
描述
SOT-223
D
S
S
N沟道MOSFET
G
D
G
Vishay的第三代功率MOSFET提供
设计师与快速切换的最佳组合，
加固装置的设计，低导通电阻和
成本效益。
采用SOT - 223封装是专为表面贴装
使用气相，红外，或波峰焊技术。
其独特的包装设计，可以很容易地自动
拾取和放置与其他SOT或SOIC封装，但
具有改善的热服务表现的额外优势
由于对散热放大选项卡。功率耗散
大于1.25 W是可能在一个典型的表面安装
应用程序。
订购信息
包
铅（ Pb），且无卤
铅（Pb ） - 免费
SNPB
记
一。请参阅设备的方向。
SOT-223
SiHFL014-GE3
IRFL014PbF
SiHFL014-E3
IRFL014
SiHFL014
SOT-223
SiHFL014TR-GE3
a
IRFL014TRPbF
a
SiHFL014T-E3
a
IRFL014TR
a
SiHFL014T
a
绝对最大额定值
(T
C
= 25 ℃，除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
当前
a
V
GS
在10 V
T
C
= 25 °C
T
C
= 100 °C
符号
V
DS
V
GS
I
D
极限
60
± 20
2.7
1.7
22
0.025
0.017
100
3.1
2.0
4.5
- 55至+ 150
300
d
单位
V
A
I
DM
脉冲漏
线性降额因子
线性降额因子（ PCB安装）
e
E
AS
单脉冲雪崩能量
b
最大功率耗散
T
C
= 25 °C
P
D
e
T
A
= 25 °C
最大功率耗散（ PCB安装）
dv / dt的
峰值二极管恢复的dv / dt
c
工作结存储温度范围
T
J
, T
英镑
焊接建议（峰值温度）
10秒
笔记
一。重复评价;脉冲宽度有限的最大结点温度（参见图11）。
B 。 V
DD
= 25 V ，起始物为
J
= 25 ° C，L = 16 mH的，R
g
= 25
Ω,
I
AS
= 2.7 A（见图12 ） 。
C.我
SD
≤
10 A ， di / dt的
≤
90 A / μs的，V
DD
≤
V
DS
, T
J
≤
150 °C.
ð 。 1.6毫米的情况。
Ë 。当安装在1"正方形板（ FR-4或G- 10材料）。
*含有铅端子不符合RoHS要求，可申请豁免
文档编号： 91191
S10-1257 -REV 。 C， 5月31日 - 10
W / ℃，
mJ
W
V / ns的
°C
www.vishay.com
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VISHAY [ VISHAY TELEFUNKEN ]
