IRFL210TRPBF 参数 Datasheet PDF下载

型号：	IRFL210TRPBF
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内容描述：	功率MOSFET [Power MOSFET]
分类和应用：	晶体晶体管开关脉冲光电二极管局域网
文件页数/大小：	8 页 / 1069 K
品牌：	VISHAY [ VISHAY TELEFUNKEN ]

IRFL210 ， SiHFL210

Vishay Siliconix公司

功率MOSFET

产品概述

(V)

DS （ ON）

(Ω)

（最大值）（ NC ）

（ NC ）

CON组fi guration

= 10 V

8.2

1.8

4.5

单身

特点

200

1.5

=表面贴装

•可用磁带和卷轴

•动态的dv / dt额定值

•额定重复性雪崩

•快速开关

•易于并联的

•简单的驱动要求

•铅（Pb），免费提供

可用的

RoHS指令*

柔顺

SOT-223

描述

Vishay的第三代功率MOSFET提供

设计师与快速切换的最佳组合，

加固装置的设计，低导通电阻和

成本效益。

采用SOT - 223封装是专为表面贴装

使用气相，红外，或波峰焊技术。

其独特的包装设计，可以很容易地自动

拾取和放置与其他SOT或SOIC封装，但有

改进的热服务表现的附加优点是由于

放大片的散热。更大的功耗

超过1.25 W是可能在一个典型的表面安装

应用程序。

N沟道

MOSFET

订购信息

包

铅（Pb ） - 免费

SOT-223

IRFL210PbF

SiHFL210-E3

IRFL210

SiHFL210

SOT-223

IRFL210TRPbF

SiHFL210T-E3

IRFL210TR

SiHFL210T

SNPB

记

一。请参阅设备的方向。

绝对最大额定值

= 25 ℃，除非另有说明

参数

漏源电压

栅源电压

连续漏电流

漏电流脉冲

线性降额因子

线性降额因子（ PCB安装）

单脉冲雪崩能量

重复性雪崩电流

重复性雪崩能量

*含有铅端子不符合RoHS要求，可申请豁免

在10 V

= 25 °C

= 100 °C

符号

极限

200

± 20

0.96

0.6

7.7

0.025

0.017

0.96

0.31

W / ℃，

单位

文档编号： 91193

S- 81377 -REV 。 A， 30军08

www.vishay.com

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