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IRFP350 参数 Datasheet PDF下载

IRFP350图片预览
型号: IRFP350
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内容描述: 功率MOSFET [Power MOSFET]
分类和应用: 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
文件页数/大小: 8 页 / 1569 K
品牌: VISHAY [ VISHAY TELEFUNKEN ]
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IRFP350 , SiHFP350
Vishay Siliconix公司
功率MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
R
DS ( ON)
(Ω)
Q
g
(最大值) ( NC )
Q
gs
( NC )
Q
gd
( NC )
CON组fi guration
V
GS
= 10 V
150
23
80
单身
D
特点
400
0.30
动态的dv / dt额定值
额定重复性雪崩
隔离区安装孔
快速开关
易于并联的
简单的驱动要求
铅(Pb ) ,免费提供
可用的
RoHS指令*
柔顺
描述
Vishay的第三代功率MOSFET提供
设计师与快速切换的最佳组合,
加固装置的设计,低导通电阻和
成本效益。
在TO- 247封装的首选商业工业
应用更高的功率水平排除使用
的TO-220的设备。该TO- 247类似,但优于
早期的隔离安装的TO- 218封装,因为
洞。它也提供了更大之间的爬电距离
销,以满足大多数安全技术规范的要求。
TO-247
G
S
D
G
S
N沟道
MOSFET
订购信息
铅(Pb ) - 免费
SNPB
TO-247
IRFP350PbF
SiHFP350-E3
IRFP350
SiHFP350
绝对最大额定值
T
C
= 25 ℃,除非另有说明
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
脉冲漏
当前
a
V
GS
在10 V
T
C
= 25 °C
T
C
= 100 °C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
E
AS
I
AR
E
AR
T
C
= 25 °C
P
D
dv / dt的
T
J
, T
英镑
10秒
6-32或M3螺丝
极限
400
± 20
16
10
64
1.5
390
16
19
190
4.0
- 55至+ 150
300
d
10
1.1
W / ℃,
mJ
A
mJ
W
V / ns的
°C
磅力·中
N·m的
A
单位
V
线性降额因子
单脉冲雪崩能量
b
重复性雪崩电流
a
重复性雪崩
能源
a
最大功率耗散
峰值二极管恢复的dv / dt
c
工作结存储温度范围
焊接建议(峰值温度)
安装力矩
笔记
一。重复评价;脉冲宽度有限的最大结点温度(参见图11)。
B 。 V
DD
= 50 V ,起始物为
J
= 25 ° C,L = 2.7 mH的,R
G
= 25
Ω,
I
AS
= 16 A(见图12 ) 。
C.我
SD
16 A , di / dt的
200 A / μs的,V
DD
V
DS
, T
J
150 °C.
ð 。 1.6毫米的情况。
*含有铅端子不符合RoHS要求,可申请豁免
文档编号: 91225
S- 81360 -REV 。 A, 7月28日 - 08
www.vishay.com
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