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IRFR024 参数 Datasheet PDF下载

IRFR024图片预览
型号: IRFR024
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内容描述: 功率MOSFET [Power MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 8 页 / 1986 K
品牌: VISHAY [ VISHAY TELEFUNKEN ]
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IRFR024 , IRFU024 , SiHFR024 , SiHFU024
Vishay Siliconix公司
功率MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
R
DS ( ON)
(Ω)
Q
g
(最大值) ( NC )
Q
gs
( NC )
Q
gd
( NC )
CON组fi guration
V
GS
= 10 V
25
5.8
11
单身
D
特点
60
0.10
•动态的dv / dt额定值
•表面贴装( IRFR024 / SiHFR024 )
•直铅( IRFU024 / SiHFU024 )
•可用磁带和卷轴
•快速开关
•易于并联的
•简单的驱动要求
•铅(Pb) ,免费提供
可用的
RoHS指令*
柔顺
DPAK
(TO-252)
IPAK
(TO-251)
G
描述
Vishay的第三代功率MOSFET提供
设计师与快速切换的最佳组合,
加固装置的设计,低导通电阻和
成本效益。
该DPAK是专为使用蒸汽表面安装
相,红外,或波焊工艺。直
铅版( IRFU / SiHFU系列)是通孔
安装应用程序。功率耗散水平高达1.5瓦
是可能的典型的表面安装的应用程序。
S
N沟道
MOSFET
订购信息
铅(Pb ) - 免费
SNPB
一。请参阅设备的方向。
DPAK ( TO- 252 )
IRFR024PbF
SiHFR024-E3
IRFR024
SiHFR024
DPAK ( TO- 252 )
IRFR024TRPbF
a
SiHFR024T-E3
a
IRFR024TR
a
SiHFR024T
a
DPAK ( TO- 252 )
-
-
IRFR024TRL
a
SiHFR024TL
a
IPAK ( TO- 251 )
IRFU024PbF
SiHFU024-E3
IRFU024
SiHFU024
绝对最大额定值
T
C
= 25 ℃,除非另有说明
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
漏电流脉冲
a
线性降额因子
线性降额因子( PCB安装)
e
单脉冲雪崩能量
b
最大功率耗散
最大功率耗散( PCB安装)
e
峰值二极管恢复的dv / dt
c
*含有铅端子不符合RoHS要求,可申请豁免
T
C
= 25 °C
T
A
= 25 °C
E
AS
P
D
dv / dt的
V
GS
在10 V
T
C
= 25 °C
T
C
= 100 °C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
极限
60
± 20
14
9.0
56
0.33
0.020
91
42
2.5
5.5
W / ℃,
mJ
W
V / ns的
A
单位
V
文档编号: 91264
S-挂起-REV 。 A, 17军08
WORK -IN -PROGRESS
www.vishay.com
1