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IRFR9210 参数 Datasheet PDF下载

IRFR9210图片预览
型号: IRFR9210
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内容描述: 功率MOSFET [Power MOSFET]
分类和应用: 晶体晶体管功率场效应晶体管开关
文件页数/大小: 8 页 / 1583 K
品牌: VISHAY [ VISHAY TELEFUNKEN ]
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IRFR9210 , IRFU9210 , SiHFR9210 , SiHFU9210
Vishay Siliconix公司
功率MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
R
DS ( ON)
(Ω)
Q
g
(最大值) ( NC )
Q
gs
( NC )
Q
gd
( NC )
CON组fi guration
- 200
V
GS
= - 10 V
8.9
2.1
3.9
单身
S
特点
•动态的dv / dt额定值
3.0
•额定重复性雪崩
•表面贴装( IRFR9210 / SiHFR9210 )
•直铅( IRFU9210 / SiHFU9210 )
•可用磁带和卷轴
• P沟道
•快速开关
•铅(Pb) ,免费提供
可用的
RoHS指令*
柔顺
DPAK
(TO-252)
IPAK
(TO-251)
描述
G
D
P沟道MOSFET
功率MOSFET技术的关键是Vishay的
先进的线路功率MOSFET晶体管。高效
几何形状的功率MOSFET和独特的加工
设计实现极低的通态电阻结合
高跨导和极端设备的耐用性。
该DPAK是专为使用蒸汽表面安装
相,红外,或波焊工艺。直
铅版( IRFU / SiHFU系列)是通孔
安装应用程序。功率耗散水平高达1.5瓦
是可能的典型的表面安装的应用程序。
订购信息
铅(Pb ) - 免费
SNPB
一。请参阅设备的方向。
DPAK ( TO- 252 )
IRFR9210PbF
SiHFR9210-E3
IRFR9210
SiHFR9210
DPAK ( TO- 252 )
IRFR9210TRPbF
a
SiHFR9210T-E3
a
IRFR9210TR
a
SiHFR9210T
a
DPAK ( TO- 252 )
-
-
IRFR9210TRL
a
SiHFR9210TL
a
IPAK ( TO- 251 )
IRFU9210PbF
SiHFU9210-E3
IRFU9210
SiHFU9210
绝对最大额定值
T
C
= 25 ℃,除非另有说明
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
当前
a
V
GS
在 - 10 V
T
C
= 25 °C
T
C
= 100 °C
符号
V
DS
V
GS
I
D
极限
- 200
± 20
- 1.9
- 1.2
- 7.6
0.20
0.020
300
- 1.9
2.5
25
2.5
- 5.0
- 55至+ 150
260
d
单位
V
A
I
DM
脉冲漏
线性降额因子
线性降额因子( PCB安装)
e
E
AS
单脉冲雪崩能量
b
a
I
AR
重复性雪崩电流
a
E
AR
重复性雪崩能量
最大功率耗散
T
C
= 25 °C
P
D
e
T
A
= 25 °C
最大功率耗散( PCB安装)
dv / dt的
峰值二极管恢复的dv / dt
c
工作结存储温度范围
T
J
, T
英镑
焊接建议(峰值温度)
10秒
笔记
一。重复评价;脉冲宽度有限的最大结点温度(参见图11)。
B 。 V
DD
= - 50 V ,起始物为
J
= 25 ° C,L = 124 mH的,R
G
= 25
Ω,
I
AS
= - 1.9 A(见图12 )。
C.我
SD
- 1.9 A, di / dt的
70 A / μs的,V
DD
V
DS
, T
J
150 °C.
ð 。 1.6毫米的情况。
Ë 。当安装在1"正方形板( FR-4或G- 10材料)。
*含有铅端子不符合RoHS要求,可申请豁免
文档编号: 91281
S-挂起-REV 。 A, 21 -JUL- 08
W / ℃,
mJ
A
mJ
W
V / ns的
°C
WORK -IN -PROGRESS
www.vishay.com
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