IRLL110 ， SiHLL110
Vishay Siliconix公司
功率MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
R
DS （ ON）
(Ω)
Q
g
（最大值） （ NC ）
Q
gs
（ NC ）
Q
gd
（ NC ）
CON组fi guration
V
GS
= 5.0 V
6.1
2.6
3.3
单身
D
特点
100
0.54
•
•
•
•
•
•
•
•
表面贴装
可用磁带和卷轴
动态的dv / dt额定值
额定重复性雪崩
逻辑电平栅极驱动
R
DS （ ON）
在V指定
GS
= 4 V和5 V
快速开关
铅（Pb ） ，免费提供
可用的
RoHS指令*
柔顺
描述
SOT-223
G
S
N沟道
MOSFET
Vishay的第三代功率MOSFET提供
设计师与快速切换的最佳组合，
加固装置的设计，低导通电阻和
成本effictiveness 。
采用SOT - 223封装是专为表面贴装
使用气相，红外，或波峰焊技术。
其独特的包装设计，可以很容易地自动
拾取和放置与其他SOT或SOIC封装，但有
改进的热服务表现的附加优点是由于
放大片的散热。更大的功耗
超过1.25 W是可能在一个典型的表面安装
应用程序。
订购信息
包
铅（Pb ） - 免费
SNPB
记
一。请参阅设备的方向。
SOT-223
IRLL110PbF
SiHLL110-E3
IRLL110
SiHLL110
SOT-223
IRLL110TRPbF
a
SiHLL110T-E3
a
IRLL110TR
a
SiHLL110T
a
绝对最大额定值
T
C
= 25 ℃，除非另有说明
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
漏电流脉冲
a
线性降额因子
线性降额因子（ PCB安装）
e
单脉冲雪崩能量
b
重复性雪崩电流
a
重复性雪崩能量
a
最大功率耗散
最大功率耗散（ PCB安装）
e
峰值二极管恢复的dv / dt
c
工作结存储温度范围
焊接建议（峰值温度）
V
GS
在5.0 V
T
C
= 25 °C
T
C
= 100 °C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
极限
100
± 10
1.5
0.93
12
0.025
0.017
50
1.5
0.31
3.1
2.0
5.5
- 55至+ 150
300
d
单位
V
A
W / ℃，
mJ
A
mJ
W
V / ns的
°C
E
AS
I
AR
E
AR
T
C
= 25 °C
T
A
= 25 °C
P
D
dv / dt的
T
J
, T
英镑
10秒
笔记
一。重复评价;脉冲宽度有限的最大结点温度（参见图11）。
B 。 V
DD
= 25 V ，起始物为
J
= 25 ° C，L = 25 mH的，R
G
= 25
Ω,
I
AS
= 1.5 A（见图12 ） 。
C.我
SD
≤
5.6 A， di / dt的
≤
75 A / μs的，V
DD
≤
V
DS
, T
J
≤
150 °C.
ð 。 1.6毫米的情况。
Ë 。当安装在1"正方形板（ FR-4或G- 10材料）。
*含有铅端子不符合RoHS要求，可申请豁免
文档编号： 91320
S- 81366 -REV 。 A， 07 -JUL- 08
www.vishay.com
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VISHAY [ VISHAY TELEFUNKEN ]
