SI4416DY 参数 Datasheet PDF下载

型号：	SI4416DY
PDF下载：	下载PDF文件查看货源
内容描述：	N通道30 -V （D -S ）的MOSFET [N-Channel 30-V (D-S) MOSFET]
分类和应用：	晶体晶体管功率场效应晶体管开关光电二极管
文件页数/大小：	4 页 / 44 K
品牌：	VISHAY [ VISHAY TELEFUNKEN ]

Si4416DY

Vishay Siliconix公司

N通道30 -V （D -S ）的MOSFET

特点

产品概述

(V)

TrenchFETr功率MOSFET

(A)

9.0

7.3

DS （ ON）

(W)

0.018 @ V

= 10 V

0.028 @ V

= 4.5 V

SO-8

顶视图

订购信息： Si4416DY

Si4416DY -T1 （带编带和卷轴）

N沟道

MOSFET

绝对最大额定值（T

= 25 ° C除非另有说明）

参数

漏源电压

栅源电压

连续漏电流（T

= 150_C)

漏电流脉冲（ 10

脉冲宽度）

连续源电流（二极管传导）

最大功率耗散

工作结存储温度范围

= 25_C

= 70_C

= 25_C

= 70_C

符号

10秒]

"20

9.0

稳定状态

单位

6.9

5.6

1.2

1.4

0.9

- 55〜 150

, T

英镑

7.5

2.1

2.5

1.6

热电阻额定值

参数

10秒

最大Ĵ

M I

结到环境

TI T A双向吨

最大结到脚（漏极）

笔记

一。表面装在1 “×1” FR4板。

文档编号： 72266

S- 31062 -REV 。 E， 26日， 03

www.vishay.com

稳态

thJA

thJF

符号

典型值

最大

单位

° C / W

C / W

IC37:专业IC行业平台

专业IC领域供求交易平台:提供全面的IC Datasheet资料和资讯，Datasheet 1000万数据，IC品牌1000多家。

网站导航 Datasheet资料库电子术语电子百科

服务中心 常见问题委托交易会员服务

关于我们 公司简介联系我们免责申明

产品索引：A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

深圳网络警察报警平台公共信息安全网络监察经营性网站备案信息不良信息举报中心工商网监电子标识全国公安机关备案