Si4532DY
Vishay Siliconix公司
N和P通道30 - V（D -S）的MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
N沟道
30
R
DS （ ON）
(W)
0.065 @ V
GS
= 10 V
0.095 @ V
GS
= 4.5 V
P沟道
–30
0.085 @ V
GS
= –10 V
0.19 @ V
GS
= –4.5 V
I
D
(A)
"3.9
"3.1
"3.5
"2.5
D
1
S
2
SO-8
S
1
G
1
S
2
G
2
1
2
3
4
顶视图
8
7
6
5
D
1
D
1
D
2
D
2
G
1
G
2
S
1
N沟道MOSFET
D
2
P沟道MOSFET
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 150_C)
A
150 C)
漏电流脉冲
连续源电流（二极管传导）
A
最大功率耗散
A
dissi通报BULLETIN
工作结存储温度范围
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
英镑
N沟道
30
"20
"3.9
"3.1
"20
1.7
2.0
W
1.3
-55到150
_C
P沟道
–30
"20
"3.5
"2.8
"20
–1.7
A
V
单位
热电阻额定值
参数
最大结点到环境
A
笔记
一。表面安装在FR4板，T
v
10秒。
更新此数据表可以通过传真致电Siliconix公司FaxBack ， 1-408-970-5600索取。请要求FaxBack文档＃ 70155 。
通过万维网SPICE模型信息： http://www.siliconix.com/www/product/spice.htm
日前，Vishay Siliconix公司， LAURELWOOD路2201 ，圣克拉拉， CA 95054
S
电话(408)988-8000
S
FaxBack (408)970-5600
S
www.siliconix.com
S- 56944 -REV 。 D， 23 - NOV- 93
Siliconix公司的前身是TEMIC半导体公司的一个分公司
符号
R
thJA
N或P沟道
62.5
单位
° C / W
3-1
VISHAY [ VISHAY TELEFUNKEN ]
