SS22 SS26 THRU
威世通用半导体
表面贴装肖特基整流器
特点
•薄型封装
•适合自动放置
• Guardring过电压保护
•低功率损耗，效率高
•低正向压降
•高浪涌能力
•符合MSL等级1 ，符合per J -STD- 020 ， LF最大
260℃峰值
•浸焊260 ° C， 40秒
•按照RoHS 2002/95 / EC组件
和WEEE 2002/96 / EC
典型应用
适用于低电压高频率逆变器的使用，
续流，直流 - 直流转换器，和极性
保护应用。
2.0 A
20 V至60 V
75 A
0.50 V, 0.70 V
125 °C, 150 °C
DO- 214AA （ SMB ）
主要特征
I
F（ AV ）
V
RRM
I
FSM
V
F
T
J
马克斯。
机械数据
案例：
DO- 214AA （ SMB ）
环氧符合UL 94V- 0阻燃等级
终端：
雾锡镀线索，每焊
J- STD- 002和JESD22- B102
E3后缀消费档次，满足JESD 201级
1A晶须测试， HE3后缀为高可靠性等级
（ AEC Q101标准） ，符合JESD 201 2级
晶须测试
极性：
颜色频带端为负极
最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
器件标识代码
最大重复峰值反向电压
最大RMS电压
最大直流阻断电压
马克斯。正向平均整流电流在T
L
（图1）的
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
叠加在额定负荷
非重复性雪崩能量在T
A
= 25 °C,
I
AS
= 2.0 A，L = 10毫亨
静电放电电容电压
人体模型： C = 100 pF的， R = 1.5 kΩ的
变化的电压率（额定V
R
)
工作结温范围
存储温度范围
文档编号： 88748
修订： 23 -JAN- 08
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F（ AV ）
I
FSM
E
AS
VC
dv / dt的
T
J
T
英镑
- 65至+ 125
- 65至+ 150
符号
SS22
S2
20
14
20
SS23
S3
30
21
30
SS24
S4
40
28
40
2.0
75
20
8.0
10 000
- 65至+ 150
SS25
S5
50
35
50
SS26
S6
60
42
60
V
V
V
A
A
mJ
KV
V / μs的
°C
°C
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1
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