128Mb的同步DRAM
P2V28S20ATP - 7 ， -75 ， -8 （ 4 - X银行8,388,608 - WORD ×4位）
P2V28S30ATP - 7 ， -75 ， -8 （ 4 - X银行4,194,304 - WORD ×8位）
P2V28S40ATP - 7 ， -75 ， -8 （ 4 - X银行2,097,152 - WORD ×16位）
框图
DQ0-7
I / O缓冲器
存储阵列
4096 x1024 x8
电池阵列
存储阵列
4096 x1024 x8
电池阵列
存储阵列
4096 x1024 x8
电池阵列
存储阵列
4096 x1024 x8
电池阵列
银行＃ 0
银行＃ 1
银行＃ 2
银行＃ 3
模式
注册
控制电路
地址缓冲器
时钟缓冲器
控制信号缓冲
A0-11
BA0,1
CLK
CKE
/ CS
/ RAS
/ CAS
/ WE
DQM
注意：图中显示了P2V28S30ATP
该A2V28S20ATP配置单元阵列和DQ0-3的4096x2048x4
该A2V28S40ATP配置单元阵列和DQ0-15的4069x512x16
型号代码
P2
V 28号第3 0 A TP -8
访问项目
-7 ： 7纳秒（ 143MHz下/ 3-3-3 ）
-75 ： 7.5ns （ 100MHz的/ 2-2-2或为133MHz / 3-3-3 ）
-8 ： 8纳秒（ 100MHz的/ 2-2-2或为125MHz / 3-3-3 ）
TP ： TSOP （ II ）
答：第二代
0 ：随机列
2 : x4, 3 : x8, 4: x16
套餐类型
程世代
功能
组织
同步DRAM
密度
接口
力晶DRAM
128 ： 128Mbit的
V ： LVTTL
JULY.2000
Page-3
Rev.2.2
VML [ VANGUARD INTERNATIONAL SEMICONDUCTOR ]
