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VG26V17400EJ-5 参数 Datasheet PDF下载

VG26V17400EJ-5图片预览
型号: VG26V17400EJ-5
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内容描述: 4194304 ×4 - 位CMOS动态RAM [4,194,304 x 4 - Bit CMOS Dynamic RAM]
分类和应用:
文件页数/大小: 25 页 / 211 K
品牌: VML [ VANGUARD INTERNATIONAL SEMICONDUCTOR ]
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VIS
直流特性; 3.3 - 伏版(续)
(T
a
= 0至70℃ ,V
CC
= + 3.3V
±
10%, V
SS
= 0V)
参数
输入漏
当前
输出漏
当前
符号
I
LI
I
LO
测试条件
0V
VIN
V
CC
+ 0.3V
0V
VOUT
V
C C
+ 0.3V
DOUT =禁用
l
OH
= -2mA
VG26(V)(S)17400E
4194304 ×4 - 位
CMOS动态RAM
VG26 (V)的(S) - 17400E
单位注
-5
-6
最小值最大值最小值最大值
-5
5
-5
5
µA
-5
5
-5
5
µA
输出高
V
OH
2.4
- 2.4
- V
电压
输出低
V
OL
l
OL
= + 2毫安
-
0.4
-
0.4 V
电压
注意事项:
1. l
CC
被指定为一个平均电流。这取决于输出负载条件下,循环率时
该设备被选中。升
CC
最大值被指定在输出开状态。
2.地址可以一次或更少的改变,而RAS = V
IL
.
3.升
CC4
,地址可以被一次或更少改变1快速页面模式的周期时间内。
文档: 1G5-0142
Rev.1
第9页