VG26VS17400FJ 参数 Datasheet PDF下载

型号：	VG26VS17400FJ
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内容描述：	4194304 ×4 - 位CMOS动态RAM [4,194,304 x 4 - Bit CMOS Dynamic RAM]
分类和应用：
文件页数/大小：	25 页 / 210 K
品牌：	VML [ VANGUARD INTERNATIONAL SEMICONDUCTOR ]

VIS

直流特性; 3.3 - 伏VERION

= 0至70℃ ，V

= + 3.3V(+10%,-5%), V

= 0V)

VG26 （V）的（S） - 17400E

参数

符号

测试条件

民

操作

当前

低

动力

的S - 版本

CC1

RAS骑自行车

CAS骑自行车

=最小值。

LVTTL接口

RAS ， CAS = V

DOUT =高 - z

CMOS接口

RAS ， CAS

≥

- 0.2V

DOUT =高 - z

待机标准

当前功率

VERSION

CC2

LVTTL接口

RAS ， CAS = V

DOUT =高 - z

CMOS接口

RAS ， CAS

≥

- 0.2V

DOUT =高 - z

RAS - 仅

刷新当前

快速页模式

当前

CAS - 前 - RAS

刷新当前

自 - 刷新醋栗

（S - 版）

CAS - 前 - RAS

长刷新

目前（S - 版）

CC3

CC4

=最小值。

CC5

CC8

CC9

=最小值。

RAS ， CAS骑自行车

RASS

≥

100µS

待机： V

- 0.2V

≤

RAS

RAS之前CAS刷新：

2048次/ 128ms的

RAS ， RAS ： 0V

≤

I L

≤

0.2V

- 0.2V

≤

（最大）

DOUT =高 - Z，吨

RAS

≤

300ns

145

250

300

135

RAS骑自行车， CAS = V

=最小值。

145

100

135

-5

最大

145

0.5

民

-6

最大

VG26(V)(S)17400FJ

4194304 ×4 - 位

CMOS动态RAM

单位注

135毫安

0.5

1, 2

0.15

0.5

1, 2

250

µA

300

µA

1,3

文件：

启示录

第8页

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